Name: IPBE65R145CFD7AATMA1
Brand: Infineon Technologies
SKU: 448-IPBE65R145CFD7AATMA1TR-ND
Price: 4.9368 EUR
Availability: InStock

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IPBE65R145CFD7AATMA1
N.º de producto de DigiKey	448-IPBE65R145CFD7AATMA1TR-ND - Cinta y rollo (TR) 448-IPBE65R145CFD7AATMA1CT-ND - Cinta cortada (CT) 448-IPBE65R145CFD7AATMA1DKR-ND - Digi-Reel®
Fabricante	Infineon Technologies
Número de pieza del fabricante	IPBE65R145CFD7AATMA1
Descripción	AUTOMOTIVE PG-TO263-7
Plazo estándar del fabricante	17 semanas
Referencia del cliente
Descripción detallada	Canal N Montaje en superficie 650 V 17A (Tc) 98W (Tc) PG-TO263-7-11
Hoja de datos	Hoja de datos
Modelos EDA/CAD	IPBE65R145CFD7AATMA1 Modelos

Atributos del producto

Tipo	Descripción	Seleccionar todo
Categoría	Productos de semiconductores discretos Transistores FET, MOSFET FET simple, MOSFET
Fabricante	Infineon Technologies
Serie	CoolMOS™
Embalaje	Cinta y rollo (TR) Cinta cortada (CT) Digi-Reel®
Estado de pieza	Activo
Tipo FET	Canal N
Tecnología	MOSFET (óxido de metal)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss)	650 V
Corriente - consumo continuo (Id) a 25ºC	17A (Tc)
Voltaje de impulso (encendido Rds máx., encendido Rds mín.)	10V
Rds On (máx) @ Id, Vgs	145mOhm a 8.5A, 10V
Vgs(th) (máx) a Id	4.5V a 420µA
Carga de compuerta (Qg) (máx.) a Vgs	36 nC @ 10 V
Vgs (máx.)	±20V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) a Vds	1694 pF @ 400 V
Característica de FET	-
Disipación de potencia (Máx.)	98W (Tc)
Temperatura de funcionamiento	-40°C ~ 150°C (TJ)
Grado	Uso automotriz
Calificación	AEC-Q101
Tipo de montaje	Montaje en superficie
Paquete del dispositivo del proveedor	PG-TO263-7-11
Paquete / Caja (carcasa)	TO-263-8, conductores D2PAK (7 conductores + pestaña), TO-263CA
Número de producto base	IPBE65R