Name: IPB65R190C7ATMA2
Brand: Infineon Technologies
SKU: IPB65R190C7ATMA2TR-ND
Price: 3.993 EUR
Availability: InStock

IPB65R190C7ATMA2
N.º de producto de DigiKey	IPB65R190C7ATMA2TR-ND - Cinta y rollo (TR) IPB65R190C7ATMA2CT-ND - Cinta cortada (CT) IPB65R190C7ATMA2DKR-ND - Digi-Reel®
Fabricante	Infineon Technologies
Número de pieza del fabricante	IPB65R190C7ATMA2
Descripción	MOSFET N-CH 650V 13A TO263-3
Plazo estándar del fabricante	20 semanas
Referencia del cliente
Descripción detallada	Canal N Montaje en superficie 650 V 13A (Tc) 72W (Tc) PG-TO263-3
Hoja de datos	Hoja de datos
Modelos EDA/CAD	IPB65R190C7ATMA2 Modelos

Tipo	Descripción	Seleccionar todo
Categoría	Productos de semiconductores discretos Transistores FET, MOSFET FET simple, MOSFET
Fabricante	Infineon Technologies
Serie	CoolMOS™ C7
Embalaje	Cinta y rollo (TR) Cinta cortada (CT) Digi-Reel®
Estado de pieza	Activo
Tipo FET	Canal N
Tecnología	MOSFET (óxido de metal)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss)	650 V
Corriente - consumo continuo (Id) a 25ºC	13A (Tc)
Voltaje de impulso (encendido Rds máx., encendido Rds mín.)	10V
Rds On (máx) @ Id, Vgs	190mOhm a 5.7A, 10V
Vgs(th) (máx) a Id	4V a 290µA
Carga de compuerta (Qg) (máx.) a Vgs	23 nC @ 10 V
Vgs (máx.)	±20V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) a Vds	1150 pF @ 400 V
Característica de FET	-
Disipación de potencia (Máx.)	72W (Tc)
Temperatura de funcionamiento	-55°C ~ 150°C (TJ)
Grado	-
Calificación	-
Tipo de montaje	Montaje en superficie
Paquete del dispositivo del proveedor	PG-TO263-3
Paquete / Caja (carcasa)	TO-263-3, D2PAK (2 conductores + pestaña), TO-263AB
Número de producto base	IPB65R190

Cantidad	Precio por unidad	Precio ext.
1.000	0,99762 €	997,62 €
2.000	0,96506 €	1.930,12 €

Precio unitario sin IVA:	3,30000 €
Precio unitario con IVA:	3,99300 €

IPB65R190C7ATMA2