Name: IPB65R110CFDAATMA1
Brand: Infineon Technologies
SKU: IPB65R110CFDAATMA1TR-ND
Price: 8.2885 EUR
Availability: InStock

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IPB65R110CFDAATMA1
N.º de producto de DigiKey	IPB65R110CFDAATMA1TR-ND - Cinta y rollo (TR) IPB65R110CFDAATMA1CT-ND - Cinta cortada (CT) IPB65R110CFDAATMA1DKR-ND - Digi-Reel®
Fabricante	Infineon Technologies
Número de pieza del fabricante	IPB65R110CFDAATMA1
Descripción	MOSFET N-CH 650V 31.2A D2PAK
Plazo estándar del fabricante	17 semanas
Referencia del cliente
Descripción detallada	Canal N Montaje en superficie 650 V 31.2H (Tc) 277.8W (Tc) PG-TO263-3
Hoja de datos	Hoja de datos
Modelos EDA/CAD	IPB65R110CFDAATMA1 Modelos

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Categoría Productos de semiconductores discretos Transistores FET, MOSFET FET simple, MOSFET	Carga de compuerta (Qg) (máx.) a Vgs 118 nC @ 10 V
Fabricante Infineon Technologies	Vgs (máx.) ±20V
Serie CoolMOS™	Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) a Vds 3240 pF @ 100 V
Embalaje Cinta y rollo (TR) Cinta cortada (CT) Digi-Reel®	Disipación de potencia (Máx.) 277.8W (Tc)
Estado de pieza Activo	Temperatura de funcionamiento -40°C ~ 150°C (TJ)
Tipo FET Canal N	Grado Uso automotriz
Tecnología MOSFET (óxido de metal)	Calificación AEC-Q101
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss) 650 V	Tipo de montaje Montaje en superficie
Corriente - consumo continuo (Id) a 25ºC 31.2H (Tc)	Paquete del dispositivo del proveedor PG-TO263-3
Voltaje de impulso (encendido Rds máx., encendido Rds mín.) 10V	Paquete / Caja (carcasa) TO-263-3, D2PAK (2 conductores + pestaña), TO-263AB
Rds On (máx) @ Id, Vgs 110mOhm a 12.7A, 10V	Número de producto base IPB65R110
Vgs(th) (máx) a Id 4.5V a 1.3mA