Name: IPAN60R210PFD7SXKSA1
Brand: Infineon Technologies
SKU: 448-IPAN60R210PFD7SXKSA1-ND
Price: 2.8314 EUR
Availability: InStock

Canal N Orificio pasante 650 V 16A (Tc) 25W (Tc) PG-TO220-FP

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IPAN60R210PFD7SXKSA1
N.º de producto de DigiKey	448-IPAN60R210PFD7SXKSA1-ND
Fabricante	Infineon Technologies
Número de pieza del fabricante	IPAN60R210PFD7SXKSA1
Descripción	MOSFET N-CH 650V 16A TO220
Plazo estándar del fabricante	30 semanas
Referencia del cliente
Descripción detallada	Canal N Orificio pasante 650 V 16A (Tc) 25W (Tc) PG-TO220-FP
Hoja de datos	Hoja de datos
Modelos EDA/CAD	IPAN60R210PFD7SXKSA1 Modelos

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Categoría Productos de semiconductores discretos Transistores FET, MOSFET FET simple, MOSFET	Vgs(th) (máx) a Id 4.5V a 240µA
Fabricante Infineon Technologies	Carga de compuerta (Qg) (máx.) a Vgs 23 nC @ 10 V
Serie CoolMOS™PFD7	Vgs (máx.) ±20V
Embalaje Tubo	Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) a Vds 1015 pF @ 400 V
Estado de pieza Activo	Disipación de potencia (Máx.) 25W (Tc)
Tipo FET Canal N	Temperatura de funcionamiento -40°C ~ 150°C (TJ)
Tecnología MOSFET (óxido de metal)	Tipo de montaje Orificio pasante
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss) 650 V	Paquete del dispositivo del proveedor PG-TO220-FP
Corriente - consumo continuo (Id) a 25ºC 16A (Tc)	Paquete / Caja (carcasa) TO-220-3 paquete completo
Voltaje de impulso (encendido Rds máx., encendido Rds mín.) 10V	Número de producto base IPAN60
Rds On (máx) @ Id, Vgs 210mOhm a 4.9A, 10V

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Cantidad

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Tubo

Cantidad	Precio por unidad	Precio ext.
1	2,34000 €	2,34 €
50	1,14500 €	57,25 €
100	1,02950 €	102,95 €
500	0,82684 €	413,42 €
1.000	0,76168 €	761,68 €
2.000	0,70692 €	1.413,84 €
5.000	0,64769 €	3.238,45 €
10.000	0,62850 €	6.285,00 €

Paquete estándar del fabricante

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