Name: IPAN60R125PFD7SXKSA1
Brand: Infineon Technologies
SKU: 448-IPAN60R125PFD7SXKSA1-ND
Price: 3.5332 EUR
Availability: InStock

Canal N Orificio pasante 650 V 25A (Tc) 32W (Tc) PG-TO220-FP

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IPAN60R125PFD7SXKSA1
N.º de producto de DigiKey	448-IPAN60R125PFD7SXKSA1-ND
Fabricante	Infineon Technologies
Número de pieza del fabricante	IPAN60R125PFD7SXKSA1
Descripción	MOSFET N-CH 650V 25A TO220
Plazo estándar del fabricante	29 semanas
Referencia del cliente
Descripción detallada	Canal N Orificio pasante 650 V 25A (Tc) 32W (Tc) PG-TO220-FP
Hoja de datos	Hoja de datos
Modelos EDA/CAD	IPAN60R125PFD7SXKSA1 Modelos

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Categoría Productos de semiconductores discretos Transistores FET, MOSFET FET simple, MOSFET	Vgs(th) (máx) a Id 4.5V a 390µA
Fabricante Infineon Technologies	Carga de compuerta (Qg) (máx.) a Vgs 36 nC @ 10 V
Serie CoolMOS™PFD7	Vgs (máx.) ±20V
Embalaje Tubo	Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) a Vds 1503 pF @ 400 V
Estado de pieza Activo	Disipación de potencia (Máx.) 32W (Tc)
Tipo FET Canal N	Temperatura de funcionamiento -40°C ~ 150°C (TJ)
Tecnología MOSFET (óxido de metal)	Tipo de montaje Orificio pasante
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss) 650 V	Paquete del dispositivo del proveedor PG-TO220-FP
Corriente - consumo continuo (Id) a 25ºC 25A (Tc)	Paquete / Caja (carcasa) TO-220-3 paquete completo
Voltaje de impulso (encendido Rds máx., encendido Rds mín.) 10V	Número de producto base IPAN60
Rds On (máx) @ Id, Vgs 125mOhm a 7.8A, 10V

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Cantidad

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Tubo

Cantidad	Precio por unidad	Precio ext.
1	2,92000 €	2,92 €
50	1,46320 €	73,16 €
100	1,32120 €	132,12 €
500	1,07214 €	536,07 €
1.000	0,99212 €	992,12 €
2.000	0,92486 €	1.849,72 €
5.000	0,85702 €	4.285,10 €

Paquete estándar del fabricante

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