IPAN50R500CEXKSA1 Infineon Technologies | Productos de semiconductores discretos

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IPAN50R500CEXKSA1
N.º de producto de DigiKey	IPAN50R500CEXKSA1-ND
Fabricante	Infineon Technologies
Número de pieza del fabricante	IPAN50R500CEXKSA1
Descripción	MOSFET N-CH 500V 11.1A TO220
Referencia del cliente
Descripción detallada	Canal N Orificio pasante 500 V 11.1A (Tc) 28W (Tc) PG-TO220-FP
Hoja de datos	Hoja de datos
Modelos EDA/CAD	IPAN50R500CEXKSA1 Modelos

Atributos del producto

Tipo	Descripción	Seleccionar todo
Categoría	Productos de semiconductores discretos Transistores FET, MOSFET FET simple, MOSFET
Fabricante	Infineon Technologies
Serie	CoolMOS™
Embalaje	Tubo
Estado de pieza	Obsoleto
Tipo FET	Canal N
Tecnología	MOSFET (óxido de metal)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss)	500 V
Corriente - consumo continuo (Id) a 25ºC	11.1A (Tc)
Voltaje de impulso (encendido Rds máx., encendido Rds mín.)	13V
Rds On (máx) @ Id, Vgs	500mOhm a 2.3A, 13V
Vgs(th) (máx) a Id	3.5V a 200µA
Carga de compuerta (Qg) (máx.) a Vgs	18.7 nC @ 10 V
Vgs (máx.)	±20V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) a Vds	433 pF @ 100 V
Característica de FET	-
Disipación de potencia (Máx.)	28W (Tc)
Temperatura de funcionamiento	-40°C ~ 150°C (TJ)
Grado	-
Calificación	-
Tipo de montaje	Orificio pasante
Paquete del dispositivo del proveedor	PG-TO220-FP
Paquete / Caja (carcasa)	TO-220-3 paquete completo
Número de producto base	IPAN50

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Cantidad

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Tubo

Cantidad	Precio por unidad	Precio ext.
1	1,28000 €	1,28 €
50	0,60240 €	30,12 €
100	0,53650 €	53,65 €

Paquete estándar del fabricante

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