Name: IPA80R1K4CEXKSA2
Brand: Infineon Technologies
SKU: IPA80R1K4CEXKSA2-ND
Price: 2.1538 EUR
Availability: InStock

IPA80R1K4CEXKSA2
N.º de producto de DigiKey	IPA80R1K4CEXKSA2-ND
Fabricante	Infineon Technologies
Número de pieza del fabricante	IPA80R1K4CEXKSA2
Descripción	MOSFET N-CH 800V 3.9A TO220
Referencia del cliente
Descripción detallada	Canal N Orificio pasante 800 V 3.9A (Tc) 31W (Tc) PG-TO220-FP
Hoja de datos	Hoja de datos
Modelos EDA/CAD	IPA80R1K4CEXKSA2 Modelos

Tipo	Descripción	Seleccionar todo
Categoría	Productos de semiconductores discretos Transistores FET, MOSFET FET simple, MOSFET
Fabricante	Infineon Technologies
Serie	CoolMOS™
Embalaje	Tubo
Estado de pieza	No para diseños nuevos
Tipo FET	Canal N
Tecnología	MOSFET (óxido de metal)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss)	800 V
Corriente - consumo continuo (Id) a 25ºC	3.9A (Tc)
Voltaje de impulso (encendido Rds máx., encendido Rds mín.)	10V
Rds On (máx) @ Id, Vgs	1.4Ohm a 2.3A, 10V
Vgs(th) (máx) a Id	3.9V a 240µA
Carga de compuerta (Qg) (máx.) a Vgs	23 nC @ 10 V
Vgs (máx.)	±20V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) a Vds	570 pF @ 100 V
Característica de FET	-
Disipación de potencia (Máx.)	31W (Tc)
Temperatura de funcionamiento	-40°C ~ 150°C (TJ)
Grado	-
Calificación	-
Tipo de montaje	Orificio pasante
Paquete del dispositivo del proveedor	PG-TO220-FP
Paquete / Caja (carcasa)	TO-220-3 paquete completo
Número de producto base	IPA80R1

Precio unitario sin IVA:	1,78000 €
Precio unitario con IVA:	2,15380 €

IPA80R1K4CEXKSA2