Name: IPA80R1K4CEXKSA2
Brand: Infineon Technologies
SKU: IPA80R1K4CEXKSA2-ND
Price: 2.6136 EUR
Availability: InStock

Canal N Orificio pasante 800 V 3.9H (Tc) 31W (Tc) PG-TO220-FP

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IPA80R1K4CEXKSA2
N.º de producto de DigiKey	IPA80R1K4CEXKSA2-ND
Fabricante	Infineon Technologies
Número de pieza del fabricante	IPA80R1K4CEXKSA2
Descripción	MOSFET N-CH 800V 3.9A TO220
Referencia del cliente
Descripción detallada	Canal N Orificio pasante 800 V 3.9H (Tc) 31W (Tc) PG-TO220-FP
Hoja de datos	Hoja de datos
Modelos EDA/CAD	IPA80R1K4CEXKSA2 Modelos

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Categoría Productos de semiconductores discretos Transistores FET, MOSFET FET simple, MOSFET	Vgs(th) (máx) a Id 3.9V a 240µA
Fabricante Infineon Technologies	Carga de compuerta (Qg) (máx.) a Vgs 23 nC @ 10 V
Serie CoolMOS™	Vgs (máx.) ±20V
Embalaje Tubo	Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) a Vds 570 pF @ 100 V
Estado de pieza No para diseños nuevos	Disipación de potencia (Máx.) 31W (Tc)
Tipo FET Canal N	Temperatura de funcionamiento -40°C ~ 150°C (TJ)
Tecnología MOSFET (óxido de metal)	Tipo de montaje Orificio pasante
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss) 800 V	Paquete del dispositivo del proveedor PG-TO220-FP
Corriente - consumo continuo (Id) a 25ºC 3.9H (Tc)	Paquete / Caja (carcasa) TO-220-3 paquete completo
Voltaje de impulso (encendido Rds máx., encendido Rds mín.) 10V	Número de producto base IPA80R1
Rds On (máx) @ Id, Vgs 1.4Ohm a 2.3A, 10V

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Documentos y medios

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Recursos adicionales

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Cantidad

Todos los precios se expresan en EUR

Tubo

Cantidad	Precio por unidad	Precio ext.
1	2,16000 €	2,16 €
50	1,03880 €	51,94 €
100	0,92990 €	92,99 €
500	0,73878 €	369,39 €
1.000	0,67729 €	677,29 €
2.000	0,62558 €	1.251,16 €
5.000	0,56965 €	2.848,25 €
10.000	0,53510 €	5.351,00 €

Paquete estándar del fabricante

Aviso: Debido a los servicios de valor añadido de DigiKey, el tipo de embalaje puede cambiar cuando el producto se adquiere en cantidades inferiores al embalaje estándar.