Name: IMZC120R007M2HXKSA1
Brand: Infineon Technologies
SKU: 448-IMZC120R007M2HXKSA1-ND
Price: 41.7692 EUR
Availability: InStock

IMZC120R007M2HXKSA1
N.º de producto de DigiKey	448-IMZC120R007M2HXKSA1-ND
Fabricante	Infineon Technologies
Número de pieza del fabricante	IMZC120R007M2HXKSA1
Descripción	SIC DISCRETE
Plazo estándar del fabricante	45 semanas
Referencia del cliente
Descripción detallada	Canal N Orificio pasante 1200 V 201H (Tc) 711W (Tc) PG-TO247-4-17
Hoja de datos	Hoja de datos

Tipo	Descripción	Seleccionar todo
Categoría	Productos de semiconductores discretos Transistores FET, MOSFET FET simple, MOSFET
Fabricante	Infineon Technologies
Serie	CoolSiC™
Embalaje	Tubo
Estado de pieza	Activo
Tipo FET	Canal N
Tecnología	SiCFET (Carburo de silicio)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss)	1200 V
Corriente - consumo continuo (Id) a 25ºC	201H (Tc)
Voltaje de impulso (encendido Rds máx., encendido Rds mín.)	15V, 18V
Rds On (máx) @ Id, Vgs	7.5mOhm a 93A, 18V
Vgs(th) (máx) a Id	5.1V a 29.1mA
Carga de compuerta (Qg) (máx.) a Vgs	176 nC @ 18 V
Vgs (máx.)	+23V, -7V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) a Vds	6570 pF @ 800 V
Característica de FET	-
Disipación de potencia (Máx.)	711W (Tc)
Temperatura de funcionamiento	-55°C ~ 175°C
Grado	-
Calificación	-
Tipo de montaje	Orificio pasante
Paquete del dispositivo del proveedor	PG-TO247-4-17
Paquete / Caja (carcasa)	TO-247-4

Precio unitario sin IVA:	34,52000 €
Precio unitario con IVA:	41,76920 €

IMZC120R007M2HXKSA1