Name: IMZA75R140M1HXKSA1
Brand: Infineon Technologies
SKU: 448-IMZA75R140M1HXKSA1-ND
Price: 5.9411 EUR
Availability: InStock

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IMZA75R140M1HXKSA1
N.º de producto de DigiKey	448-IMZA75R140M1HXKSA1-ND
Fabricante	Infineon Technologies
Número de pieza del fabricante	IMZA75R140M1HXKSA1
Descripción	SILICON CARBIDE MOSFET
Plazo estándar del fabricante	23 semanas
Referencia del cliente
Descripción detallada	Canal N Orificio pasante 750 V 16A (Tj) 86W (Tc) PG-TO247-4
Hoja de datos	Hoja de datos

Atributos del producto

Tipo	Descripción	Seleccionar todo
Categoría	Productos de semiconductores discretos Transistores FET, MOSFET FET simple, MOSFET
Fabricante	Infineon Technologies
Serie	CoolSiC™
Embalaje	Tubo
Estado de pieza	Activo
Tipo FET	Canal N
Tecnología	SiCFET (Carburo de silicio)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss)	750 V
Corriente - consumo continuo (Id) a 25ºC	16A (Tj)
Voltaje de impulso (encendido Rds máx., encendido Rds mín.)	15V, 20V
Rds On (máx) @ Id, Vgs	129mOhm a 4.7A, 20V
Vgs(th) (máx) a Id	5.6V a 1.7mA
Carga de compuerta (Qg) (máx.) a Vgs	13 nC @ 18 V
Vgs (máx.)	+23V, -5V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) a Vds	351 pF @ 500 V
Característica de FET	-
Disipación de potencia (Máx.)	86W (Tc)
Temperatura de funcionamiento	-55°C ~ 175°C (TJ)
Grado	-
Calificación	-
Tipo de montaje	Orificio pasante
Paquete del dispositivo del proveedor	PG-TO247-4
Paquete / Caja (carcasa)	TO-247-4

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Cantidad

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Tubo

Cantidad	Precio por unidad	Precio ext.
1	4,91000 €	4,91 €
30	2,78400 €	83,52 €
120	2,31458 €	277,75 €
510	1,97031 €	1.004,86 €
1.020	1,96049 €	1.999,70 €

Paquete estándar del fabricante

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