Name: IMZA65R057M1HXKSA1
Brand: Infineon Technologies
SKU: 448-IMZA65R057M1HXKSA1-ND
Price: 9.5469 EUR
Availability: InStock

Canal N Orificio pasante 650 V 35H (Tc) 133W (Tc) PG-TO247-4-3

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IMZA65R057M1HXKSA1
N.º de producto de DigiKey	448-IMZA65R057M1HXKSA1-ND
Fabricante	Infineon Technologies
Número de pieza del fabricante	IMZA65R057M1HXKSA1
Descripción	SILICON CARBIDE MOSFET, PG-TO247
Referencia del cliente
Descripción detallada	Canal N Orificio pasante 650 V 35H (Tc) 133W (Tc) PG-TO247-4-3
Hoja de datos	Hoja de datos
Modelos EDA/CAD	IMZA65R057M1HXKSA1 Modelos

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Categoría Productos de semiconductores discretos Transistores FET, MOSFET FET simple, MOSFET	Rds On (máx) @ Id, Vgs 74mOhm a 16.7A, 18V
Fabricante Infineon Technologies	Vgs(th) (máx) a Id 5.7V a 5mA
Serie CoolSiC™	Carga de compuerta (Qg) (máx.) a Vgs 28 nC @ 18 V
Embalaje Tubo	Vgs (máx.) +20V, -2V
Estado de pieza No para diseños nuevos	Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) a Vds 930 pF @ 400 V
Tipo FET Canal N	Disipación de potencia (Máx.) 133W (Tc)
Tecnología SiCFET (Carburo de silicio)	Temperatura de funcionamiento -55°C ~ 175°C (TJ)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss) 650 V	Tipo de montaje Orificio pasante
Corriente - consumo continuo (Id) a 25ºC 35H (Tc)	Paquete del dispositivo del proveedor PG-TO247-4-3
Voltaje de impulso (encendido Rds máx., encendido Rds mín.) 18V	Paquete / Caja (carcasa) TO-247-4

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Cantidad

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Tubo

Cantidad	Precio por unidad	Precio ext.
1	7,89000 €	7,89 €
30	4,60867 €	138,26 €
120	3,88933 €	466,72 €
510	3,36231 €	1.714,78 €
1.020	3,24077 €	3.305,59 €

Paquete estándar del fabricante

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