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IMZA65R027M1HXKSA1 está sin stock y se puede solicitar como pedido pendiente.
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IMZA65R027M1HXKSA1 | |
|---|---|
N.º de producto de DigiKey | 448-IMZA65R027M1HXKSA1-ND |
Fabricante | |
Número de pieza del fabricante | IMZA65R027M1HXKSA1 |
Descripción | MOSFET 650V NCH SIC TRENCH |
Plazo estándar del fabricante | 23 semanas |
Referencia del cliente | |
Descripción detallada | Canal N Orificio pasante 650 V 59A (Tc) 189W (Tc) PG-TO247-4-3 |
Hoja de datos | Hoja de datos |
Modelos EDA/CAD | IMZA65R027M1HXKSA1 Modelos |
Atributos del producto
Tipo | Descripción | Seleccionar todo |
|---|---|---|
Categoría | ||
Fabricante | ||
Serie | ||
Embalaje | Tubo | |
Estado de pieza | Activo | |
Tipo FET | ||
Tecnología | ||
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss) | 650 V | |
Corriente - consumo continuo (Id) a 25ºC | ||
Voltaje de impulso (encendido Rds máx., encendido Rds mín.) | 18V | |
Rds On (máx) @ Id, Vgs | 34mOhm a 38.3A, 18V | |
Vgs(th) (máx) a Id | 5.7V a 11mA | |
Carga de compuerta (Qg) (máx.) a Vgs | 63 nC @ 18 V | |
Vgs (máx.) | +23V, -5V | |
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) a Vds | 2131 pF @ 400 V | |
Característica de FET | - | |
Disipación de potencia (Máx.) | 189W (Tc) | |
Temperatura de funcionamiento | -55°C ~ 150°C (TJ) | |
Grado | - | |
Calificación | - | |
Tipo de montaje | Orificio pasante | |
Paquete del dispositivo del proveedor | PG-TO247-4-3 | |
Paquete / Caja (carcasa) | ||
Número de producto base |
0 en stock
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Cantidad
Todos los precios se expresan en EUR
Tubo
| Cantidad | Precio por unidad | Precio ext. |
|---|---|---|
| 1 | 11,20000 € | 11,20 € |
| 30 | 6,79500 € | 203,85 € |
| 120 | 5,82933 € | 699,52 € |
| 510 | 5,80871 € | 2.962,44 € |
| Precio unitario sin IVA: | 11,20000 € |
|---|---|
| Precio unitario con IVA: | 13,55200 € |
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España