Name: IMZA120R040M1HXKSA1
Brand: Infineon Technologies
SKU: 448-IMZA120R040M1HXKSA1-ND
Price: 14.6047 EUR
Availability: InStock

IMZA120R040M1HXKSA1
N.º de producto de DigiKey	448-IMZA120R040M1HXKSA1-ND
Fabricante	Infineon Technologies
Número de pieza del fabricante	IMZA120R040M1HXKSA1
Descripción	SIC DISCRETE
Plazo estándar del fabricante	39 semanas
Referencia del cliente
Descripción detallada	Canal N Orificio pasante 1200 V 55A (Tc) 227W (Tc) PG-TO247-4-8
Hoja de datos	Hoja de datos
Modelos EDA/CAD	IMZA120R040M1HXKSA1 Modelos

Tipo	Descripción	Seleccionar todo
Categoría	Productos de semiconductores discretos Transistores FET, MOSFET FET simple, MOSFET
Fabricante	Infineon Technologies
Serie	CoolSiC™
Embalaje	Tubo
Estado de pieza	Activo
Tipo FET	Canal N
Tecnología	SiCFET (Carburo de silicio)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss)	1200 V
Corriente - consumo continuo (Id) a 25ºC	55A (Tc)
Voltaje de impulso (encendido Rds máx., encendido Rds mín.)	15V, 18V
Rds On (máx) @ Id, Vgs	54.4mOhm a 19.3A, 18V
Vgs(th) (máx) a Id	5.2V a 8.3mA
Carga de compuerta (Qg) (máx.) a Vgs	51 nC @ 18 V
Vgs (máx.)	+20V, -5V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) a Vds	1620 pF @ 800 V
Característica de FET	-
Disipación de potencia (Máx.)	227W (Tc)
Temperatura de funcionamiento	-55°C ~ 175°C (TJ)
Grado	-
Calificación	-
Tipo de montaje	Orificio pasante
Paquete del dispositivo del proveedor	PG-TO247-4-8
Paquete / Caja (carcasa)	TO-247-4

Precio unitario sin IVA:	12,07000 €
Precio unitario con IVA:	14,60470 €

IMZA120R040M1HXKSA1