Name: IMZA120R022M2HXKSA1
Brand: Infineon Technologies
SKU: 448-IMZA120R022M2HXKSA1-ND
Price: 16.093 EUR
Availability: InStock

Nuevo producto

Canal N Orificio pasante 1200 V 80A (Tc) 329W (Tc) PG-TO247-4-8

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IMZA120R022M2HXKSA1
N.º de producto de DigiKey	448-IMZA120R022M2HXKSA1-ND
Fabricante	Infineon Technologies
Número de pieza del fabricante	IMZA120R022M2HXKSA1
Descripción	IMZA120R022M2HXKSA1
Plazo estándar del fabricante	26 semanas
Referencia del cliente
Descripción detallada	Canal N Orificio pasante 1200 V 80A (Tc) 329W (Tc) PG-TO247-4-8
Hoja de datos	Hoja de datos

Atributos del producto

Tipo	Descripción	Seleccionar todo
Categoría	Productos de semiconductores discretos Transistores FET, MOSFET FET simple, MOSFET
Fabricante	Infineon Technologies
Serie	CoolSiC™
Embalaje	Tubo
Estado de pieza	Activo
Tipo FET	Canal N
Tecnología	SiCFET (Carburo de silicio)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss)	1200 V
Corriente - consumo continuo (Id) a 25ºC	80A (Tc)
Voltaje de impulso (encendido Rds máx., encendido Rds mín.)	15V, 18V
Rds On (máx) @ Id, Vgs	29mOhm a 32A, 18V
Vgs(th) (máx) a Id	5.1V a 10.1mA
Carga de compuerta (Qg) (máx.) a Vgs	71 nC @ 18 V
Vgs (máx.)	+25V, -10V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) a Vds	2330 pF @ 800 V
Característica de FET	-
Disipación de potencia (Máx.)	329W (Tc)
Temperatura de funcionamiento	-55°C ~ 175°C (TJ)
Grado	-
Calificación	-
Tipo de montaje	Orificio pasante
Paquete del dispositivo del proveedor	PG-TO247-4-8
Paquete / Caja (carcasa)	TO-247-4

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1	13,30000 €	13,30 €
30	8,18633 €	245,59 €
120	7,25117 €	870,14 €

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