Name: IMW65R057M1HXKSA1
Brand: Infineon Technologies
SKU: 448-IMW65R057M1HXKSA1-ND
Price: 8.833 EUR
Availability: InStock

IMW65R057M1HXKSA1
N.º de producto de DigiKey	448-IMW65R057M1HXKSA1-ND
Fabricante	Infineon Technologies
Número de pieza del fabricante	IMW65R057M1HXKSA1
Descripción	SILICON CARBIDE MOSFET, PG-TO247
Referencia del cliente
Descripción detallada	Canal N Orificio pasante 650 V 35A (Tc) 133W (Tc) PG-TO247-3-41
Hoja de datos	Hoja de datos
Modelos EDA/CAD	IMW65R057M1HXKSA1 Modelos

Tipo	Descripción	Seleccionar todo
Categoría	Productos de semiconductores discretos Transistores FET, MOSFET FET simple, MOSFET
Fabricante	Infineon Technologies
Serie	CoolSiC™
Embalaje	Tubo
Estado de pieza	No para diseños nuevos
Tipo FET	Canal N
Tecnología	SiCFET (Carburo de silicio)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss)	650 V
Corriente - consumo continuo (Id) a 25ºC	35A (Tc)
Voltaje de impulso (encendido Rds máx., encendido Rds mín.)	18V
Rds On (máx) @ Id, Vgs	74mOhm a 16.7A, 18V
Vgs(th) (máx) a Id	5.7V a 5mA
Carga de compuerta (Qg) (máx.) a Vgs	28 nC @ 18 V
Vgs (máx.)	+20V, -2V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) a Vds	930 pF @ 400 V
Característica de FET	-
Disipación de potencia (Máx.)	133W (Tc)
Temperatura de funcionamiento	-55°C ~ 175°C (TJ)
Grado	-
Calificación	-
Tipo de montaje	Orificio pasante
Paquete del dispositivo del proveedor	PG-TO247-3-41
Paquete / Caja (carcasa)	TO-247-3
Número de producto base	IMW65R

Precio unitario sin IVA:	7,30000 €
Precio unitario con IVA:	8,83300 €

IMW65R057M1HXKSA1