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Producto del mercado
Foto demostrada es una representación solamente. Datos específicos deben se obtener de las hojas de datos del producto.
IMW65R039M1HXKSA1 | |
|---|---|
N.º de producto de DigiKey | 448-IMW65R039M1HXKSA1-ND |
Fabricante | |
Número de pieza del fabricante | IMW65R039M1HXKSA1 |
Descripción | SILICON CARBIDE MOSFET, PG-TO247 |
Plazo estándar del fabricante | 20 semanas |
Referencia del cliente | |
Descripción detallada | Canal N Orificio pasante 650 V 46A (Tc) 176W (Tc) PG-TO247-3-41 |
Hoja de datos | Hoja de datos |
Modelos EDA/CAD | IMW65R039M1HXKSA1 Modelos |
Atributos del producto
Tipo | Descripción | Seleccionar todo |
|---|---|---|
Categoría | ||
Fabricante | ||
Serie | ||
Embalaje | Tubo | |
Estado de pieza | Activo | |
Tipo FET | ||
Tecnología | ||
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss) | 650 V | |
Corriente - consumo continuo (Id) a 25ºC | ||
Voltaje de impulso (encendido Rds máx., encendido Rds mín.) | 18V | |
Rds On (máx) @ Id, Vgs | 50mOhm a 25A, 18V | |
Vgs(th) (máx) a Id | 5.7V a 7.5mA | |
Carga de compuerta (Qg) (máx.) a Vgs | 41 nC @ 18 V | |
Vgs (máx.) | +20V, -2V | |
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) a Vds | 1393 pF @ 400 V | |
Característica de FET | - | |
Disipación de potencia (Máx.) | 176W (Tc) | |
Temperatura de funcionamiento | -55°C ~ 175°C (TJ) | |
Grado | - | |
Calificación | - | |
Tipo de montaje | Orificio pasante | |
Paquete del dispositivo del proveedor | PG-TO247-3-41 | |
Paquete / Caja (carcasa) | ||
Número de producto base |
En stock: 119
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Cantidad
Todos los precios se expresan en EUR
Tubo
| Cantidad | Precio por unidad | Precio ext. |
|---|---|---|
| 1 | 8,20000 € | 8,20 € |
| 30 | 4,84100 € | 145,23 € |
| 120 | 4,10417 € | 492,50 € |
| 510 | 3,86237 € | 1.969,81 € |
| Precio unitario sin IVA: | 8,20000 € |
|---|---|
| Precio unitario con IVA: | 9,92200 € |
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España