Name: IMW65R033M2HXKSA1
Brand: Infineon Technologies
SKU: 448-IMW65R033M2HXKSA1-ND
Price: 10.8295 EUR
Availability: InStock

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IMW65R033M2HXKSA1
N.º de producto de DigiKey	448-IMW65R033M2HXKSA1-ND
Fabricante	Infineon Technologies
Número de pieza del fabricante	IMW65R033M2HXKSA1
Descripción	IMW65R033M2HXKSA1
Plazo estándar del fabricante	8 semanas
Referencia del cliente
Descripción detallada	Canal N Orificio pasante 650 V 53A (Tc) 194W (Tc) PG-TO247-3-40
Hoja de datos	Hoja de datos
Modelos EDA/CAD	IMW65R033M2HXKSA1 Modelos

Atributos del producto

Tipo	Descripción	Seleccionar todo
Categoría	Productos de semiconductores discretos Transistores FET, MOSFET FET simple, MOSFET
Fabricante	Infineon Technologies
Serie	CoolSiC™
Embalaje	Tubo
Estado de pieza	Activo
Tipo FET	Canal N
Tecnología	SiCFET (Carburo de silicio)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss)	650 V
Corriente - consumo continuo (Id) a 25ºC	53A (Tc)
Voltaje de impulso (encendido Rds máx., encendido Rds mín.)	15V, 20V
Rds On (máx) @ Id, Vgs	30mOhm a 27.9A, 20V
Vgs(th) (máx) a Id	5.6V a 5.7mA
Carga de compuerta (Qg) (máx.) a Vgs	34 nC @ 18 V
Vgs (máx.)	+23V, -7V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) a Vds	1214 pF @ 400 V
Característica de FET	-
Disipación de potencia (Máx.)	194W (Tc)
Temperatura de funcionamiento	-55°C ~ 175°C (TJ)
Grado	-
Calificación	-
Tipo de montaje	Orificio pasante
Paquete del dispositivo del proveedor	PG-TO247-3-40
Paquete / Caja (carcasa)	TO-247-3

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Tubo

Cantidad	Precio por unidad	Precio ext.
1	8,95000 €	8,95 €
30	5,32300 €	159,69 €
120	4,52792 €	543,35 €
510	4,33222 €	2.209,43 €

Paquete estándar del fabricante

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