Name: IMW65R033M2HXKSA1
Brand: Infineon Technologies
SKU: 448-IMW65R033M2HXKSA1-ND
Price: 13.9392 EUR
Availability: InStock

Canal N Orificio pasante 650 V 53H (Tc) 194W (Tc) PG-TO247-3-40

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IMW65R033M2HXKSA1
N.º de producto de DigiKey	448-IMW65R033M2HXKSA1-ND
Fabricante	Infineon Technologies
Número de pieza del fabricante	IMW65R033M2HXKSA1
Descripción	IMW65R033M2HXKSA1
Plazo estándar del fabricante	61 semanas
Referencia del cliente
Descripción detallada	Canal N Orificio pasante 650 V 53H (Tc) 194W (Tc) PG-TO247-3-40
Hoja de datos	Hoja de datos
Modelos EDA/CAD	IMW65R033M2HXKSA1 Modelos

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Categoría Productos de semiconductores discretos Transistores FET, MOSFET FET simple, MOSFET	Rds On (máx) @ Id, Vgs 30mOhm a 27.9A, 20V
Fabricante Infineon Technologies	Vgs(th) (máx) a Id 5.6V a 5.7mA
Serie CoolSiC™	Carga de compuerta (Qg) (máx.) a Vgs 34 nC @ 18 V
Embalaje Tubo	Vgs (máx.) +23V, -7V
Estado de pieza Activo	Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) a Vds 1214 pF @ 400 V
Tipo FET Canal N	Disipación de potencia (Máx.) 194W (Tc)
Tecnología SiCFET (Carburo de silicio)	Temperatura de funcionamiento -55°C ~ 175°C (TJ)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss) 650 V	Tipo de montaje Orificio pasante
Corriente - consumo continuo (Id) a 25ºC 53H (Tc)	Paquete del dispositivo del proveedor PG-TO247-3-40
Voltaje de impulso (encendido Rds máx., encendido Rds mín.) 15V, 20V	Paquete / Caja (carcasa) TO-247-3

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Cantidad

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Tubo

Cantidad	Precio por unidad	Precio ext.
1	11,52000 €	11,52 €
30	6,86600 €	205,98 €
120	5,84400 €	701,28 €
510	5,09551 €	2.598,71 €
1.020	4,82263 €	4.919,08 €

Paquete estándar del fabricante

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