Name: IMW65R015M2HXKSA1
Brand: Infineon Technologies
SKU: 448-IMW65R015M2HXKSA1-ND
Price: 17.5087 EUR
Availability: InStock

IMW65R015M2HXKSA1
N.º de producto de DigiKey	448-IMW65R015M2HXKSA1-ND
Fabricante	Infineon Technologies
Número de pieza del fabricante	IMW65R015M2HXKSA1
Descripción	SILICON CARBIDE MOSFET
Plazo estándar del fabricante	61 semanas
Referencia del cliente
Descripción detallada	Canal N Orificio pasante 650 V 93A (Tc) 341W (Tc) PG-TO247-3-40
Hoja de datos	Hoja de datos

Tipo	Descripción	Seleccionar todo
Categoría	Productos de semiconductores discretos Transistores FET, MOSFET FET simple, MOSFET
Fabricante	Infineon Technologies
Serie	CoolSiC™ Gen 2
Embalaje	Tubo
Estado de pieza	Activo
Tipo FET	Canal N
Tecnología	SiCFET (Carburo de silicio)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss)	650 V
Corriente - consumo continuo (Id) a 25ºC	93A (Tc)
Voltaje de impulso (encendido Rds máx., encendido Rds mín.)	15V, 20V
Rds On (máx) @ Id, Vgs	13.2mOhm a 64.2A, 20V
Vgs(th) (máx) a Id	5.6V a 13mA
Carga de compuerta (Qg) (máx.) a Vgs	79 nC @ 18 V
Vgs (máx.)	+23V, -7V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) a Vds	2792 pF @ 400 V
Característica de FET	-
Disipación de potencia (Máx.)	341W (Tc)
Temperatura de funcionamiento	-55°C ~ 175°C (TJ)
Grado	-
Calificación	-
Tipo de montaje	Orificio pasante
Paquete del dispositivo del proveedor	PG-TO247-3-40
Paquete / Caja (carcasa)	TO-247-3
Número de producto base	IMW65R015

Precio unitario sin IVA:	14,47000 €
Precio unitario con IVA:	17,50870 €

IMW65R015M2HXKSA1