Name: IMW120R220M1HXKSA1
Brand: Infineon Technologies
SKU: IMW120R220M1HXKSA1-ND
Price: 7.3084 EUR
Availability: InStock

IMW120R220M1HXKSA1
N.º de producto de DigiKey	IMW120R220M1HXKSA1-ND
Fabricante	Infineon Technologies
Número de pieza del fabricante	IMW120R220M1HXKSA1
Descripción	SICFET N-CH 1.2KV 13A TO247-3
Plazo estándar del fabricante	39 semanas
Referencia del cliente
Descripción detallada	Canal N Orificio pasante 1200 V 13A (Tc) 75W (Tc) PG-TO247-3-41
Hoja de datos	Hoja de datos
Modelos EDA/CAD	IMW120R220M1HXKSA1 Modelos

Tipo	Descripción	Seleccionar todo
Categoría	Productos de semiconductores discretos Transistores FET, MOSFET FET simple, MOSFET
Fabricante	Infineon Technologies
Serie	CoolSiC™
Embalaje	Tubo
Estado de pieza	Activo
Tipo FET	Canal N
Tecnología	SiCFET (Carburo de silicio)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss)	1200 V
Corriente - consumo continuo (Id) a 25ºC	13A (Tc)
Voltaje de impulso (encendido Rds máx., encendido Rds mín.)	15V, 18V
Rds On (máx) @ Id, Vgs	286mOhm a 4A, 18V
Vgs(th) (máx) a Id	5.7V a 1.6mA
Carga de compuerta (Qg) (máx.) a Vgs	8.5 nC @ 18 V
Vgs (máx.)	+23V, -7V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) a Vds	289 pF @ 800 V
Característica de FET	-
Disipación de potencia (Máx.)	75W (Tc)
Temperatura de funcionamiento	-55°C ~ 175°C (TJ)
Grado	-
Calificación	-
Tipo de montaje	Orificio pasante
Paquete del dispositivo del proveedor	PG-TO247-3-41
Paquete / Caja (carcasa)	TO-247-3
Número de producto base	IMW120

Precio unitario sin IVA:	6,04000 €
Precio unitario con IVA:	7,30840 €

IMW120R220M1HXKSA1