Name: IMT44R025M2HXTMA2
Brand: Infineon Technologies
SKU: 448-IMT44R025M2HXTMA2TR-ND
Price: 10.0067 EUR
Availability: OutOfStock

Nuevo producto

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IMT44R025M2HXTMA2
N.º de producto de DigiKey	448-IMT44R025M2HXTMA2TR-ND - Cinta y rollo (TR) 448-IMT44R025M2HXTMA2CT-ND - Cinta cortada (CT) 448-IMT44R025M2HXTMA2DKR-ND - Digi-Reel®
Fabricante	Infineon Technologies
Número de pieza del fabricante	IMT44R025M2HXTMA2
Descripción	SICFET N-CH 440V 68A PG-HSOF-8
Plazo estándar del fabricante	23 semanas
Referencia del cliente
Descripción detallada	Canal N Montaje en superficie 440 V 9A (Ta), 68A (Tc) 3.8W (Ta), 214W (Tc) PG-HSOF-8
Hoja de datos	Hoja de datos

Atributos del producto

Tipo	Descripción	Seleccionar todo
Categoría	Productos de semiconductores discretos Transistores FET, MOSFET FET simple, MOSFET
Fabricante	Infineon Technologies
Serie	CoolSiC™ G2
Embalaje	Cinta y rollo (TR) Cinta cortada (CT) Digi-Reel®
Estado de pieza	Activo
Tipo FET	Canal N
Tecnología	SiCFET (Carburo de silicio)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss)	440 V
Corriente - consumo continuo (Id) a 25ºC	9A (Ta), 68A (Tc)
Voltaje de impulso (encendido Rds máx., encendido Rds mín.)	15V, 18V
Rds On (máx) @ Id, Vgs	32.1mOhm a 15.7A, 18V
Vgs(th) (máx) a Id	5.6V a 5.6mA
Carga de compuerta (Qg) (máx.) a Vgs	36 nC @ 18 V
Vgs (máx.)	+25V, -10V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) a Vds	1690 pF @ 200 V
Característica de FET	-
Disipación de potencia (Máx.)	3.8W (Ta), 214W (Tc)
Temperatura de funcionamiento	-55°C ~ 175°C (TJ)
Grado	-
Calificación	-
Tipo de montaje	Montaje en superficie
Paquete del dispositivo del proveedor	PG-HSOF-8
Paquete / Caja (carcasa)	8-PowerSFN