Name: IMDQ75R060M2HXTMA1
Brand: Infineon Technologies
SKU: 448-IMDQ75R060M2HXTMA1TR-ND
Price: 7.7561 EUR
Availability: OutOfStock

IMDQ75R060M2HXTMA1
N.º de producto de DigiKey	448-IMDQ75R060M2HXTMA1TR-ND - Cinta y rollo (TR) 448-IMDQ75R060M2HXTMA1CT-ND - Cinta cortada (CT) 448-IMDQ75R060M2HXTMA1DKR-ND - Digi-Reel®
Fabricante	Infineon Technologies
Número de pieza del fabricante	IMDQ75R060M2HXTMA1
Descripción	IMDQ75R060M2HXTMA1
Plazo estándar del fabricante	61 semanas
Referencia del cliente
Descripción detallada	Canal N Montaje en superficie 840 V 30A (Tc) 128W (Tc) PG-HDSOP-22
Hoja de datos	Hoja de datos
Modelos EDA/CAD	IMDQ75R060M2HXTMA1 Modelos

Tipo	Descripción	Seleccionar todo
Categoría	Productos de semiconductores discretos Transistores FET, MOSFET FET simple, MOSFET
Fabricante	Infineon Technologies
Serie	CoolSiC™
Embalaje	Cinta y rollo (TR) Cinta cortada (CT) Digi-Reel®
Estado de pieza	Activo
Tipo FET	Canal N
Tecnología	SiCFET (Carburo de silicio)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss)	840 V
Corriente - consumo continuo (Id) a 25ºC	30A (Tc)
Voltaje de impulso (encendido Rds máx., encendido Rds mín.)	15V, 20V
Rds On (máx) @ Id, Vgs	56mOhm a 13.8A, 20V
Vgs(th) (máx) a Id	5.6V a 3mA
Carga de compuerta (Qg) (máx.) a Vgs	20 nC @ 18 V
Vgs (máx.)	+23V, -7V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) a Vds	716 pF @ 500 V
Característica de FET	-
Disipación de potencia (Máx.)	128W (Tc)
Temperatura de funcionamiento	-55°C ~ 175°C (TJ)
Grado	-
Calificación	-
Tipo de montaje	Montaje en superficie
Paquete del dispositivo del proveedor	PG-HDSOP-22
Paquete / Caja (carcasa)	Módulo 22-PowerBSOP

Precio unitario sin IVA:	6,41000 €
Precio unitario con IVA:	7,75610 €

IMDQ75R060M2HXTMA1