Name: IMBG40R036M2HXTMA1
Brand: Infineon Technologies
SKU: 448-IMBG40R036M2HXTMA1TR-ND
Price: 8.228 EUR
Availability: InStock

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IMBG40R036M2HXTMA1
N.º de producto de DigiKey	448-IMBG40R036M2HXTMA1TR-ND - Cinta y rollo (TR) 448-IMBG40R036M2HXTMA1CT-ND - Cinta cortada (CT) 448-IMBG40R036M2HXTMA1DKR-ND - Digi-Reel®
Fabricante	Infineon Technologies
Número de pieza del fabricante	IMBG40R036M2HXTMA1
Descripción	SIC-MOS
Plazo estándar del fabricante	61 semanas
Referencia del cliente
Descripción detallada	Canal N Montaje en superficie 400 V 7.6H (Ta), 50H (Tc) 3.8W (Ta), 167W (Tc) PG-TO263-7-11
Hoja de datos	Hoja de datos
Modelos EDA/CAD	IMBG40R036M2HXTMA1 Modelos

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Categoría Productos de semiconductores discretos Transistores FET, MOSFET FET simple, MOSFET	Rds On (máx) @ Id, Vgs 45.7mOhm a 11.1A, 18V
Fabricante Infineon Technologies	Vgs(th) (máx) a Id 5.6V a 4mA
Serie CoolSiC™	Carga de compuerta (Qg) (máx.) a Vgs 26 nC @ 18 V
Embalaje Cinta y rollo (TR) Cinta cortada (CT) Digi-Reel®	Vgs (máx.) +23V, -7V
Estado de pieza Activo	Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) a Vds 1170 pF @ 200 V
Tipo FET Canal N	Disipación de potencia (Máx.) 3.8W (Ta), 167W (Tc)
Tecnología SiCFET (Carburo de silicio)	Temperatura de funcionamiento -55°C ~ 175°C (TJ)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss) 400 V	Tipo de montaje Montaje en superficie
Corriente - consumo continuo (Id) a 25ºC 7.6H (Ta), 50H (Tc)	Paquete del dispositivo del proveedor PG-TO263-7-11
Voltaje de impulso (encendido Rds máx., encendido Rds mín.) 15V, 18V	Paquete / Caja (carcasa) TO-263-8, conductores D2PAK (7 conductores + pestaña), TO-263CA