Name: IMBF170R650M1XTMA1
Brand: Infineon Technologies
SKU: 448-IMBF170R650M1XTMA1TR-ND
Price: 6.292 EUR
Availability: InStock

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IMBF170R650M1XTMA1
N.º de producto de DigiKey	448-IMBF170R650M1XTMA1TR-ND - Cinta y rollo (TR) 448-IMBF170R650M1XTMA1CT-ND - Cinta cortada (CT) 448-IMBF170R650M1XTMA1DKR-ND - Digi-Reel®
Fabricante	Infineon Technologies
Número de pieza del fabricante	IMBF170R650M1XTMA1
Descripción	SICFET N-CH 1700V 7.4A TO263-7
Plazo estándar del fabricante	45 semanas
Referencia del cliente
Descripción detallada	Canal N Montaje en superficie 1700 V 7.4A (Tc) 88W (Tc) PG-TO263-7-13
Hoja de datos	Hoja de datos
Modelos EDA/CAD	IMBF170R650M1XTMA1 Modelos

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Categoría Productos de semiconductores discretos Transistores FET, MOSFET FET simple, MOSFET	Vgs(th) (máx) a Id 5.7V a 1.7mA
Fabricante Infineon Technologies	Carga de compuerta (Qg) (máx.) a Vgs 8 nC @ 12 V
Serie CoolSiC™	Vgs (máx.) +20V, -10V
Embalaje Cinta y rollo (TR) Cinta cortada (CT) Digi-Reel®	Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) a Vds 422 pF @ 1000 V
Estado de pieza Activo	Disipación de potencia (Máx.) 88W (Tc)
Tipo FET Canal N	Temperatura de funcionamiento -55°C ~ 175°C (TJ)
Tecnología SiCFET (Carburo de silicio)	Tipo de montaje Montaje en superficie
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss) 1700 V	Paquete del dispositivo del proveedor PG-TO263-7-13
Corriente - consumo continuo (Id) a 25ºC 7.4A (Tc)	Paquete / Caja (carcasa) TO-263-8, conductores D2PAK (7 conductores + pestaña), TO-263CA
Voltaje de impulso (encendido Rds máx., encendido Rds mín.) 12V, 15V	Número de producto base IMBF170
Rds On (máx) @ Id, Vgs 650mOhm a 1.5A, 15V