IGLD60R070D1AUMA3 Infineon Technologies | Productos de semiconductores discretos

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IGLD60R070D1AUMA3
N.º de producto de DigiKey	448-IGLD60R070D1AUMA3TR-ND - Cinta y rollo (TR) 448-IGLD60R070D1AUMA3CT-ND - Cinta cortada (CT) 448-IGLD60R070D1AUMA3DKR-ND - Digi-Reel®
Fabricante	Infineon Technologies
Número de pieza del fabricante	IGLD60R070D1AUMA3
Descripción	GANFET N-CH
Referencia del cliente
Descripción detallada	Canal N Montaje en superficie 600 V 15A (Tc) 114W (Tc) PG-LSON-8-1
Hoja de datos	Hoja de datos
Modelos EDA/CAD	IGLD60R070D1AUMA3 Modelos

Atributos del producto

Tipo	Descripción	Seleccionar todo
Categoría	Productos de semiconductores discretos Transistores FET, MOSFET FET simple, MOSFET
Fabricante	Infineon Technologies
Serie	CoolGaN™
Embalaje	Cinta y rollo (TR) Cinta cortada (CT) Digi-Reel®
Estado de pieza	Obsoleto
Tipo FET	Canal N
Tecnología	GaNFET (Nitrito de galio)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss)	600 V
Corriente - consumo continuo (Id) a 25ºC	15A (Tc)
Voltaje de impulso (encendido Rds máx., encendido Rds mín.)	-
Rds On (máx) @ Id, Vgs	-
Vgs(th) (máx) a Id	1.6V a 2.6mA
Vgs (máx.)	-10V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) a Vds	380 pF @ 400 V
Característica de FET	-
Disipación de potencia (Máx.)	114W (Tc)
Temperatura de funcionamiento	-55°C ~ 150°C (TJ)
Grado	-
Calificación	-
Tipo de montaje	Montaje en superficie
Paquete del dispositivo del proveedor	PG-LSON-8-1
Paquete / Caja (carcasa)	Placa descubierta 8-LDFN