Name: IAUCN04S7L009ATMA1
Brand: Infineon Technologies
SKU: 448-IAUCN04S7L009ATMA1TR-ND
Price: 2.3958 EUR
Availability: InStock

IAUCN04S7L009ATMA1
N.º de producto de DigiKey	448-IAUCN04S7L009ATMA1TR-ND - Cinta y rollo (TR) 448-IAUCN04S7L009ATMA1CT-ND - Cinta cortada (CT) 448-IAUCN04S7L009ATMA1DKR-ND - Digi-Reel®
Fabricante	Infineon Technologies
Número de pieza del fabricante	IAUCN04S7L009ATMA1
Descripción	MOSFET_(20V 40V)
Plazo estándar del fabricante	35 semanas
Referencia del cliente
Descripción detallada	Canal N Montaje en superficie 40 V 275A (Tj) 129W (Tc) PG-TDSON-8-34
Hoja de datos	Hoja de datos

Tipo	Descripción	Seleccionar todo
Categoría	Productos de semiconductores discretos Transistores FET, MOSFET FET simple, MOSFET
Fabricante	Infineon Technologies
Serie	OptiMOS™ 7
Embalaje	Cinta y rollo (TR) Cinta cortada (CT) Digi-Reel®
Estado de pieza	Activo
Tipo FET	Canal N
Tecnología	MOSFET (óxido de metal)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss)	40 V
Corriente - consumo continuo (Id) a 25ºC	275A (Tj)
Voltaje de impulso (encendido Rds máx., encendido Rds mín.)	4.5V, 10V
Rds On (máx) @ Id, Vgs	0.91mOhm a 88A, 10V
Vgs(th) (máx) a Id	1.8V a 60µA
Carga de compuerta (Qg) (máx.) a Vgs	85 nC @ 10 V
Vgs (máx.)	±16V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) a Vds	5704 pF @ 20 V
Característica de FET	-
Disipación de potencia (Máx.)	129W (Tc)
Temperatura de funcionamiento	-55°C ~ 175°C (TJ)
Grado	Uso automotriz
Calificación	AEC-Q101
Tipo de montaje	Montaje en superficie
Paquete del dispositivo del proveedor	PG-TDSON-8-34
Paquete / Caja (carcasa)	8-PowerTDFN

Cantidad	Precio por unidad	Precio ext.
5.000	0,53015 €	2.650,75 €
10.000	0,50027 €	5.002,70 €

Precio unitario sin IVA:	1,98000 €
Precio unitario con IVA:	2,39580 €

IAUCN04S7L009ATMA1