Name: IAUCN04S7L019ATMA1
Brand: Infineon Technologies
SKU: 448-IAUCN04S7L019ATMA1TR-ND
Price: 1.5851 EUR
Availability: OutOfStock

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IAUCN04S7L019ATMA1
cms-digikey-product-number	448-IAUCN04S7L019ATMA1TR-ND - Cinta y rollo (TR) 448-IAUCN04S7L019ATMA1CT-ND - Cinta cortada (CT) 448-IAUCN04S7L019ATMA1DKR-ND - Digi-Reel®
cms-manufacturer	Infineon Technologies
cms-manufacturer-product-number	IAUCN04S7L019ATMA1
cms-description	MOSFET_(20V 40V)
cms-standard-lead-time	26 semanas
cms-customer-reference
cms-detailed-description	Canal N Montaje en superficie 40 V PG-TDSON-8-33
Hoja de datos	Hoja de datos

cms-type	cms-description	cms-select-all
cms-category	Productos de semiconductores discretos Transistores FET, MOSFET FET simple, MOSFET
Fabricante	Infineon Technologies
Serie	OptiMOS™ 7
Embalaje	Cinta y rollo (TR) Cinta cortada (CT) Digi-Reel®
Estado de pieza	Activo
Tipo FET	Canal N
Tecnología	MOSFET (óxido de metal)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss)	40 V
Corriente - consumo continuo (Id) a 25ºC	-
Voltaje de impulso (encendido Rds máx., encendido Rds mín.)	10V
Rds On (máx) @ Id, Vgs	-
Vgs(th) (máx) a Id	-
Carga de compuerta (Qg) (máx.) a Vgs	40 nC @ 10 V
Vgs (máx.)	-
Característica de FET	-
Disipación de potencia (Máx.)	-
Temperatura de funcionamiento	-55°C ~ 175°C
Grado	Uso automotriz
Calificación	AEC-Q101
Tipo de montaje	Montaje en superficie
Paquete del dispositivo del proveedor	PG-TDSON-8-33
Paquete / Caja (carcasa)	8-PowerTDFN

cms-quantity	Precio por unidad	cms-ext-price
5.000	0,31941 €	1.597,05 €
10.000	0,31203 €	3.120,30 €

Precio unitario sin IVA:	1,31000 €
Precio unitario con IVA:	1,58510 €

IAUCN04S7L019ATMA1