FF6MR12W2M1B11BOMA1 es obsoleto y ya no se fabrica.
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Infineon Technologies
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Precio por unidad : 129,51000 €
Hoja de datos
AG-EASY2BM-2
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AG-EASY2BM-2
CoolSiC Mosfet Introduction
FP25R12W1T7_B11 1200 V, 25 A PIM IGBT Module | Datasheet Preview

FF6MR12W2M1B11BOMA1

N.º de producto de DigiKey
FF6MR12W2M1B11BOMA1-ND
Fabricante
Número de pieza del fabricante
FF6MR12W2M1B11BOMA1
Descripción
MOSFET 2N-CH 1200V AG-EASY2BM-2
Referencia del cliente
Descripción detallada
MOSFET - Arreglos 1200V (1.2kV) 200A (Tj) Montaje de chasis AG-EASY2BM-2
Hoja de datos
 Hoja de datos
Atributos del producto
Tipo
Descripción
Seleccionar todo
Categoría
Fabricante
Infineon Technologies
Serie
Embalaje
Bandeja
Estado de pieza
Obsoleto
Tecnología
Carburo de silicio (SiC)
Configuración
Dos canal N (doble)
Característica de FET
-
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss)
1200V (1.2kV)
Corriente - consumo continuo (Id) a 25ºC
200A (Tj)
Rds On (máx) @ Id, Vgs
5.63mOhm a 200A, 15V
Vgs(th) (máx) a Id
5.55V a 80mA
Carga de compuerta (Qg) (máx.) a Vgs
496nC a 15V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) a Vds
14700pF a 800V
Potencia - Máx.
-
Temperatura de funcionamiento
-40°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje
Montaje de chasis
Paquete / Caja (carcasa)
Módulo
Paquete del dispositivo del proveedor
AG-EASY2BM-2
Número de producto base
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Obsoleto
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