Name: FF6MR12W2M1HPB11BPSA1
Brand: Infineon Technologies
SKU: 448-FF6MR12W2M1HPB11BPSA1-ND
Price: 156.7071 EUR
Availability: InStock

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FF6MR12W2M1HPB11BPSA1
N.º de producto de DigiKey	448-FF6MR12W2M1HPB11BPSA1-ND
Fabricante	Infineon Technologies
Número de pieza del fabricante	FF6MR12W2M1HPB11BPSA1
Descripción	MOSFET 2N-CH 1200V 200A MODULE
Plazo estándar del fabricante	10 semanas
Referencia del cliente
Descripción detallada	MOSFET - Arreglos 1200V (1.2kV) 200A (Tj) Montaje de chasis Módulo
Hoja de datos	Hoja de datos

Atributos del producto

Tipo	Descripción	Seleccionar todo
Categoría	Productos de semiconductores discretos Transistores FET, MOSFET Arreglos FET, MOSFET
Fabricante	Infineon Technologies
Serie	HEXFET®
Embalaje	Bandeja
Estado de pieza	Activo
Tecnología	Carburo de silicio (SiC)
Configuración	Dos canal N (doble)
Característica de FET	-
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss)	1200V (1.2kV)
Corriente - consumo continuo (Id) a 25ºC	200A (Tj)
Rds On (máx) @ Id, Vgs	5.63mOhm a 200A, 15V
Vgs(th) (máx) a Id	5.55V a 80mA
Carga de compuerta (Qg) (máx.) a Vgs	496nC a 15V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) a Vds	14700pF a 800V
Potencia - Máx.	-
Temperatura de funcionamiento	-40°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje	Montaje de chasis
Paquete / Caja (carcasa)	Módulo
Paquete del dispositivo del proveedor	Módulo

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18	115,46111 €	2.078,30 €

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