Name: FF200R12KT3HOSA1
Brand: Infineon Technologies
SKU: 448-FF200R12KT3HOSA1-ND
Price: 147.0876 EUR
Availability: InStock

IGBT Módulo Parada de campo de trinchera 2 independientes 1200 V 1050 W Montaje de chasis Módulo

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FF200R12KT3HOSA1
N.º de producto de DigiKey	448-FF200R12KT3HOSA1-ND
Fabricante	Infineon Technologies
Número de pieza del fabricante	FF200R12KT3HOSA1
Descripción	IGBT MODULE 1200V 1050W MODULE
Referencia del cliente
Descripción detallada	IGBT Módulo Parada de campo de trinchera 2 independientes 1200 V 1050 W Montaje de chasis Módulo
Hoja de datos	Hoja de datos

Atributos del producto

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Categoría Productos de semiconductores discretos Transistores IGBT Módulos IGBT	Corriente - Corte de colector (Máx.) 5 mA
Fabricante Infineon Technologies	Capacitancia de entrada (Cies) a Vce 14 nF @ 25 V
Serie C	Entrada Estándar
Embalaje Bandeja	Termistor NTC No
Estado de pieza No para diseños nuevos	Temperatura de funcionamiento -40°C ~ 125°C
Tipo IGBT Parada de campo de trinchera	Tipo de montaje Montaje de chasis
Configuración 2 independientes	Paquete / Caja (carcasa) Módulo
Voltaje - Ruptura de emisor colector (Máx.) 1200 V	Paquete del dispositivo del proveedor Módulo
Potencia - Máx. 1050 W	Número de producto base FF200R12
Vce (encendido) (máx.) a Vge, Ic 2.15V a 15V, 200A

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Cantidad	Precio por unidad	Precio ext.
1	121,56000 €	121,56 €
10	101,44800 €	1.014,48 €

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