Name: FF200R12KE3HOSA1
Brand: Infineon Technologies
SKU: FF200R12KE3HOSA1-ND
Price: 139.634 EUR
Availability: InStock

IGBT Módulo 2 independientes 1200 V 1050 W Montaje de chasis Módulo

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FF200R12KE3HOSA1
N.º de producto de DigiKey	FF200R12KE3HOSA1-ND
Fabricante	Infineon Technologies
Número de pieza del fabricante	FF200R12KE3HOSA1
Descripción	IGBT MODULE 1200V 1050W MODULE
Plazo estándar del fabricante	21 semanas
Referencia del cliente
Descripción detallada	IGBT Módulo 2 independientes 1200 V 1050 W Montaje de chasis Módulo
Hoja de datos	Hoja de datos

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Categoría Productos de semiconductores discretos Transistores IGBT Módulos IGBT	Capacitancia de entrada (Cies) a Vce 14 nF @ 25 V
Fabricante Infineon Technologies	Entrada Estándar
Embalaje Bandeja	Termistor NTC Sí
Estado de pieza Activo	Temperatura de funcionamiento -40°C ~ 125°C
Configuración 2 independientes	Tipo de montaje Montaje de chasis
Voltaje - Ruptura de emisor colector (Máx.) 1200 V	Paquete / Caja (carcasa) Módulo
Potencia - Máx. 1050 W	Paquete del dispositivo del proveedor Módulo
Vce (encendido) (máx.) a Vge, Ic 2.15V a 15V, 200A	Número de producto base FF200R12
Corriente - Corte de colector (Máx.) 5 mA

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Cantidad	Precio por unidad	Precio ext.
1	115,40000 €	115,40 €
10	91,27800 €	912,78 €
100	78,93580 €	7.893,58 €

Paquete estándar del fabricante

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