Name: BSZ123N08NS3GATMA1
Brand: Infineon Technologies
SKU: BSZ123N08NS3GATMA1TR-ND
Price: 2.0691 EUR
Availability: OutOfStock

BSZ123N08NS3GATMA1
N.º de producto de DigiKey	BSZ123N08NS3GATMA1TR-ND - Cinta y rollo (TR) BSZ123N08NS3GATMA1CT-ND - Cinta cortada (CT) BSZ123N08NS3GATMA1DKR-ND - Digi-Reel®
Fabricante	Infineon Technologies
Número de pieza del fabricante	BSZ123N08NS3GATMA1
Descripción	MOSFET N-CH 80V 10A/40A 8TSDSON
Plazo estándar del fabricante	61 semanas
Referencia del cliente
Descripción detallada	Canal N Montaje en superficie 80 V 10A (Ta), 40A (Tc) 2.1W (Ta), 66W (Tc) PG-TSDSON-8
Hoja de datos	Hoja de datos
Modelos EDA/CAD	BSZ123N08NS3GATMA1 Modelos

Tipo	Descripción	Seleccionar todo
Categoría	Productos de semiconductores discretos Transistores FET, MOSFET FET simple, MOSFET
Fabricante	Infineon Technologies
Serie	OptiMOS™
Embalaje	Cinta y rollo (TR) Cinta cortada (CT) Digi-Reel®
Estado de pieza	Activo
Tipo FET	Canal N
Tecnología	MOSFET (óxido de metal)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss)	80 V
Corriente - consumo continuo (Id) a 25ºC	10A (Ta), 40A (Tc)
Voltaje de impulso (encendido Rds máx., encendido Rds mín.)	6V, 10V
Rds On (máx) @ Id, Vgs	12.3mOhm a 20A, 10V
Vgs(th) (máx) a Id	3.5V a 33µA
Carga de compuerta (Qg) (máx.) a Vgs	25 nC @ 10 V
Vgs (máx.)	±20V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) a Vds	1700 pF @ 40 V
Característica de FET	-
Disipación de potencia (Máx.)	2.1W (Ta), 66W (Tc)
Temperatura de funcionamiento	-55°C ~ 150°C (TJ)
Grado	-
Calificación	-
Tipo de montaje	Montaje en superficie
Paquete del dispositivo del proveedor	PG-TSDSON-8
Paquete / Caja (carcasa)	8-PowerVDFN
Número de producto base	BSZ123

Precio unitario sin IVA:	1,71000 €
Precio unitario con IVA:	2,06910 €

BSZ123N08NS3GATMA1