Name: BSZ097N04LSGATMA1
Brand: Infineon Technologies
SKU: BSZ097N04LSGATMA1TR-ND
Price: 1.3068 EUR
Availability: InStock

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BSZ097N04LSGATMA1
N.º de producto de DigiKey	BSZ097N04LSGATMA1TR-ND - Cinta y rollo (TR) BSZ097N04LSGATMA1CT-ND - Cinta cortada (CT) BSZ097N04LSGATMA1DKR-ND - Digi-Reel®
Fabricante	Infineon Technologies
Número de pieza del fabricante	BSZ097N04LSGATMA1
Descripción	MOSFET N-CH 40V 12A/40A 8TSDSON
Plazo estándar del fabricante	61 semanas
Referencia del cliente
Descripción detallada	Canal N Montaje en superficie 40 V 12A (Ta), 40A (Tc) 2.1W (Ta), 35W (Tc) PG-TSDSON-8
Hoja de datos	Hoja de datos
Modelos EDA/CAD	BSZ097N04LSGATMA1 Modelos

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Categoría Productos de semiconductores discretos Transistores FET, MOSFET FET simple, MOSFET	Vgs(th) (máx) a Id 2V a 14µA
Fabricante Infineon Technologies	Carga de compuerta (Qg) (máx.) a Vgs 24 nC @ 10 V
Serie OptiMOS™	Vgs (máx.) ±20V
Embalaje Cinta y rollo (TR) Cinta cortada (CT) Digi-Reel®	Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) a Vds 1900 pF @ 20 V
Estado de pieza Activo	Disipación de potencia (Máx.) 2.1W (Ta), 35W (Tc)
Tipo FET Canal N	Temperatura de funcionamiento -55°C ~ 150°C (TJ)
Tecnología MOSFET (óxido de metal)	Tipo de montaje Montaje en superficie
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss) 40 V	Paquete del dispositivo del proveedor PG-TSDSON-8
Corriente - consumo continuo (Id) a 25ºC 12A (Ta), 40A (Tc)	Paquete / Caja (carcasa) 8-PowerTDFN
Voltaje de impulso (encendido Rds máx., encendido Rds mín.) 4.5V, 10V	Número de producto base BSZ097
Rds On (máx) @ Id, Vgs 9.7mOhm a 20A, 10V