Name: BSS670S2LH6433XTMA1
Brand: Infineon Technologies
SKU: 448-BSS670S2LH6433XTMA1TR-ND
Price: 0.3509 EUR
Availability: InStock

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BSS670S2LH6433XTMA1
N.º de producto de DigiKey	448-BSS670S2LH6433XTMA1TR-ND - Cinta y rollo (TR) 448-BSS670S2LH6433XTMA1CT-ND - Cinta cortada (CT) 448-BSS670S2LH6433XTMA1DKR-ND - Digi-Reel®
Fabricante	Infineon Technologies
Número de pieza del fabricante	BSS670S2LH6433XTMA1
Descripción	MOSFET N-CH 55V 540MA SOT23
Referencia del cliente
Descripción detallada	Canal N Montaje en superficie 55 V 540mA (Ta) 360mW (Ta) PG-SOT23
Hoja de datos	Hoja de datos

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Categoría Productos de semiconductores discretos Transistores FET, MOSFET FET simple, MOSFET	Carga de compuerta (Qg) (máx.) a Vgs 2.26 nC @ 10 V
Fabricante Infineon Technologies	Vgs (máx.) ±20V
Serie OptiMOS™	Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) a Vds 75 pF @ 25 V
Embalaje Cinta y rollo (TR) Cinta cortada (CT) Digi-Reel®	Disipación de potencia (Máx.) 360mW (Ta)
Estado de pieza Última compra	Temperatura de funcionamiento -55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo FET Canal N	Grado Uso automotriz
Tecnología MOSFET (óxido de metal)	Calificación AEC-Q101
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss) 55 V	Tipo de montaje Montaje en superficie
Corriente - consumo continuo (Id) a 25ºC 540mA (Ta)	Paquete del dispositivo del proveedor PG-SOT23
Voltaje de impulso (encendido Rds máx., encendido Rds mín.) 10V, 4.5V	Paquete / Caja (carcasa) TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Rds On (máx) @ Id, Vgs 650mOhm a 270mA, 10V	Número de producto base BSS670
Vgs(th) (máx) a Id 2V a 2.7µA

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Sustitutos (1)

N.° de pieza	Fabricante	Cantidad disponible	N.º de producto de DigiKey	Precio por unidad	Tipo de reemplazo
BSS670S2LH6327XTSA1	Infineon Technologies	38.480	BSS670S2LH6327XTSA1CT-ND	0,28000 €	MFR recomendado

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Fecha de la última compra: 30/9/2026

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