Name: BSS159NH6327XTSA2
Brand: Infineon Technologies
SKU: BSS159NH6327XTSA2TR-ND
Price: 0.5687 EUR
Availability: InStock

BSS159NH6327XTSA2
N.º de producto de DigiKey	BSS159NH6327XTSA2TR-ND - Cinta y rollo (TR) BSS159NH6327XTSA2CT-ND - Cinta cortada (CT) BSS159NH6327XTSA2DKR-ND - Digi-Reel®
Fabricante	Infineon Technologies
Número de pieza del fabricante	BSS159NH6327XTSA2
Descripción	MOSFET N-CH 60V 230MA SOT23-3
Plazo estándar del fabricante	26 semanas
Referencia del cliente
Descripción detallada	Canal N, modo de implementación Montaje en superficie 60 V 230mA (Ta) 360mW (Ta) PG-SOT23
Hoja de datos	Hoja de datos
Modelos EDA/CAD	BSS159NH6327XTSA2 Modelos

Tipo	Descripción	Seleccionar todo
Categoría	Productos de semiconductores discretos Transistores FET, MOSFET FET simple, MOSFET
Fabricante	Infineon Technologies
Serie	SIPMOS®
Embalaje	Cinta y rollo (TR) Cinta cortada (CT) Digi-Reel®
Estado de pieza	Activo
Tipo FET	Canal N, modo de implementación
Tecnología	MOSFET (óxido de metal)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss)	60 V
Corriente - consumo continuo (Id) a 25ºC	230mA (Ta)
Voltaje de impulso (encendido Rds máx., encendido Rds mín.)	0V, 10V
Rds On (máx) @ Id, Vgs	3.5Ohm a 160mA, 10V
Vgs(th) (máx) a Id	2.4V a 26µA
Carga de compuerta (Qg) (máx.) a Vgs	1.4 nC @ 5 V
Vgs (máx.)	±20V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) a Vds	39 pF @ 25 V
Característica de FET	-
Disipación de potencia (Máx.)	360mW (Ta)
Temperatura de funcionamiento	-55°C ~ 150°C (TJ)
Grado	Uso automotriz
Calificación	AEC-Q101
Tipo de montaje	Montaje en superficie
Paquete del dispositivo del proveedor	PG-SOT23
Paquete / Caja (carcasa)	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Número de producto base	BSS159

Precio unitario sin IVA:	0,47000 €
Precio unitario con IVA:	0,56870 €

BSS159NH6327XTSA2