Name: BSP149H6327XTSA1
Brand: Infineon Technologies
SKU: BSP149H6327XTSA1TR-ND
Price: 1.6819 EUR
Availability: InStock

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BSP149H6327XTSA1
N.º de producto de DigiKey	BSP149H6327XTSA1TR-ND - Cinta y rollo (TR) BSP149H6327XTSA1CT-ND - Cinta cortada (CT) BSP149H6327XTSA1DKR-ND - Digi-Reel®
Fabricante	Infineon Technologies
Número de pieza del fabricante	BSP149H6327XTSA1
Descripción	MOSFET N-CH 200V 660MA SOT223-4
Plazo estándar del fabricante	27 semanas
Referencia del cliente
Descripción detallada	Canal N, modo de implementación Montaje en superficie 200 V 660mA (Ta) 1.8W (Ta) PG-SOT223-4
Hoja de datos	Hoja de datos
Modelos EDA/CAD	BSP149H6327XTSA1 Modelos

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Categoría Productos de semiconductores discretos Transistores FET, MOSFET FET simple, MOSFET	Carga de compuerta (Qg) (máx.) a Vgs 14 nC @ 5 V
Fabricante Infineon Technologies	Vgs (máx.) ±20V
Serie SIPMOS®	Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) a Vds 430 pF @ 25 V
Embalaje Cinta y rollo (TR) Cinta cortada (CT) Digi-Reel®	Disipación de potencia (Máx.) 1.8W (Ta)
Estado de pieza Activo	Temperatura de funcionamiento -55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo FET Canal N, modo de implementación	Grado Uso automotriz
Tecnología MOSFET (óxido de metal)	Calificación AEC-Q101
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss) 200 V	Tipo de montaje Montaje en superficie
Corriente - consumo continuo (Id) a 25ºC 660mA (Ta)	Paquete del dispositivo del proveedor PG-SOT223-4
Voltaje de impulso (encendido Rds máx., encendido Rds mín.) 0V, 10V	Paquete / Caja (carcasa) TO-261-4, TO-261AA
Rds On (máx) @ Id, Vgs 1.8Ohm a 660mA, 10V	Número de producto base BSP149
Vgs(th) (máx) a Id 1V a 400µA

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Documentos y medios

Clasificaciones medioambientales y de exportación

Recursos adicionales

Sustitutos (1)

N.° de pieza	Fabricante	Cantidad disponible	N.º de producto de DigiKey	Precio por unidad	Tipo de reemplazo
BSP149L6327	Rochester Electronics, LLC	1.910	2156-BSP149L6327-ND	0,46745 €	Equivalente paramétrico

En stock: 685

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Cantidad

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Cinta cortada (CT) & Digi-Reel®

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Cinta y rollo (TR)