Name: BSP373NH6327XTSA1
Brand: Infineon Technologies
SKU: BSP373NH6327XTSA1TR-ND
Price: 1.0406 EUR
Availability: InStock

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BSP373NH6327XTSA1
N.º de producto de DigiKey	BSP373NH6327XTSA1TR-ND - Cinta y rollo (TR) BSP373NH6327XTSA1CT-ND - Cinta cortada (CT) BSP373NH6327XTSA1DKR-ND - Digi-Reel®
Fabricante	Infineon Technologies
Número de pieza del fabricante	BSP373NH6327XTSA1
Descripción	MOSFET N-CH 100V 1.8A SOT223-4
Plazo estándar del fabricante	12 semanas
Referencia del cliente
Descripción detallada	Canal N Montaje en superficie 100 V 1.8A (Ta) 1.8W (Ta) PG-SOT223-4
Hoja de datos	Hoja de datos
Modelos EDA/CAD	BSP373NH6327XTSA1 Modelos

Atributos del producto

Tipo	Descripción	Seleccionar todo
Categoría	Productos de semiconductores discretos Transistores FET, MOSFET FET simple, MOSFET
Fabricante	Infineon Technologies
Serie	OptiMOS™
Embalaje	Cinta y rollo (TR) Cinta cortada (CT) Digi-Reel®
Estado de pieza	Activo
Tipo FET	Canal N
Tecnología	MOSFET (óxido de metal)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss)	100 V
Corriente - consumo continuo (Id) a 25ºC	1.8A (Ta)
Voltaje de impulso (encendido Rds máx., encendido Rds mín.)	10V
Rds On (máx) @ Id, Vgs	240mOhm a 1.8A, 10V
Vgs(th) (máx) a Id	4V a 218µA
Carga de compuerta (Qg) (máx.) a Vgs	9.3 nC @ 10 V
Vgs (máx.)	±20V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) a Vds	265 pF @ 25 V
Característica de FET	-
Disipación de potencia (Máx.)	1.8W (Ta)
Temperatura de funcionamiento	-55°C ~ 150°C (TJ)
Grado	Uso automotriz
Calificación	AEC-Q101
Tipo de montaje	Montaje en superficie
Paquete del dispositivo del proveedor	PG-SOT223-4
Paquete / Caja (carcasa)	TO-261-4, TO-261AA
Número de producto base	BSP373

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