Name: DMN10H220LE-13
Brand: Diodes Incorporated
SKU: DMN10H220LE-13DITR-ND
Price: 1.0406 EUR
Availability: InStock

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DMN10H220LE-13
N.º de producto de DigiKey	DMN10H220LE-13DITR-ND - Cinta y rollo (TR) DMN10H220LE-13DICT-ND - Cinta cortada (CT) DMN10H220LE-13DIDKR-ND - Digi-Reel®
Fabricante	Diodes Incorporated
Número de pieza del fabricante	DMN10H220LE-13
Descripción	MOSFET N-CH 100V 2.3A SOT223
Plazo estándar del fabricante	24 semanas
Referencia del cliente
Descripción detallada	Canal N Montaje en superficie 100 V 2.3A (Ta) 1.8W (Ta) SOT-223-3
Hoja de datos	Hoja de datos
Modelos EDA/CAD	DMN10H220LE-13 Modelos

Atributos del producto

Tipo	Descripción	Seleccionar todo
Categoría	Productos de semiconductores discretos Transistores FET, MOSFET FET simple, MOSFET
Fabricante	Diodes Incorporated
Serie	-
Embalaje	Cinta y rollo (TR) Cinta cortada (CT) Digi-Reel®
Estado de pieza	Activo
Tipo FET	Canal N
Tecnología	MOSFET (óxido de metal)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss)	100 V
Corriente - consumo continuo (Id) a 25ºC	2.3A (Ta)
Voltaje de impulso (encendido Rds máx., encendido Rds mín.)	4.5V, 10V
Rds On (máx) @ Id, Vgs	220mOhm a 1.6A, 10V
Vgs(th) (máx) a Id	2.5V a 250µA
Carga de compuerta (Qg) (máx.) a Vgs	8.3 nC @ 10 V
Vgs (máx.)	±20V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) a Vds	401 pF @ 25 V
Característica de FET	-
Disipación de potencia (Máx.)	1.8W (Ta)
Temperatura de funcionamiento	-55°C ~ 150°C (TJ)
Grado	-
Calificación	-
Tipo de montaje	Montaje en superficie
Paquete del dispositivo del proveedor	SOT-223-3
Paquete / Caja (carcasa)	TO-261-4, TO-261AA
Número de producto base	DMN10