Canal N, modo de implementación Montaje en superficie 200 V 660mA (Ta) 1.8W (Ta) PG-SOT223-4-21
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BSP149L6327

N.º de producto de DigiKey
2156-BSP149L6327-ND
Fabricante
Infineon Technologies
Número de pieza del fabricante
BSP149L6327
Descripción
N-CHANNEL POWER MOSFET
Referencia del cliente
Descripción detallada
Canal N, modo de implementación Montaje en superficie 200 V 660mA (Ta) 1.8W (Ta) PG-SOT223-4-21
Hoja de datos
 Hoja de datos
Atributos del producto
Tipo
Descripción
Seleccionar todo
Categoría
Fabricante
Infineon Technologies
Serie
SIPMOS®
Embalaje
Granel
Estado de pieza
Activo
Tipo FET
Canal N, modo de implementación
Tecnología
MOSFET (óxido de metal)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss)
200 V
Corriente - consumo continuo (Id) a 25ºC
660mA (Ta)
Voltaje de impulso (encendido Rds máx., encendido Rds mín.)
0V, 10V
Rds On (máx) @ Id, Vgs
1.8Ohm a 660mA, 10V
Vgs(th) (máx) a Id
1V a 400µA
Carga de compuerta (Qg) (máx.) a Vgs
14 nC @ 5 V
Vgs (máx.)
±20V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) a Vds
430 pF @ 25 V
Característica de FET
-
Disipación de potencia (Máx.)
1.8W (Ta)
Temperatura de funcionamiento
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje
Montaje en superficie
Paquete del dispositivo del proveedor
PG-SOT223-4-21
Paquete / Caja (carcasa)
TO-261-4, TO-261AA
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