Name: BSP149H6327XTSA1
Brand: Infineon Technologies
SKU: BSP149H6327XTSA1TR-ND
Price: 1.5851 EUR
Availability: InStock

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BSP149H6327XTSA1
N.º de producto de DigiKey	BSP149H6327XTSA1TR-ND - Cinta y rollo (TR) BSP149H6327XTSA1CT-ND - Cinta cortada (CT) BSP149H6327XTSA1DKR-ND - Digi-Reel®
Fabricante	Infineon Technologies
Número de pieza del fabricante	BSP149H6327XTSA1
Descripción	MOSFET N-CH 200V 660MA SOT223-4
Plazo estándar del fabricante	10 semanas
Referencia del cliente
Descripción detallada	Canal N, modo de implementación Montaje en superficie 200 V 660mA (Ta) 1.8W (Ta) PG-SOT223-4
Hoja de datos	Hoja de datos
Modelos EDA/CAD	BSP149H6327XTSA1 Modelos

Atributos del producto

Tipo	Descripción	Seleccionar todo
Categoría	Productos de semiconductores discretos Transistores FET, MOSFET FET simple, MOSFET
Fabricante	Infineon Technologies
Serie	SIPMOS®
Embalaje	Cinta y rollo (TR) Cinta cortada (CT) Digi-Reel®
Estado de pieza	Activo
Tipo FET	Canal N, modo de implementación
Tecnología	MOSFET (óxido de metal)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss)	200 V
Corriente - consumo continuo (Id) a 25ºC	660mA (Ta)
Voltaje de impulso (encendido Rds máx., encendido Rds mín.)	0V, 10V
Rds On (máx) @ Id, Vgs	1.8Ohm a 660mA, 10V
Vgs(th) (máx) a Id	1V a 400µA
Carga de compuerta (Qg) (máx.) a Vgs	14 nC @ 5 V
Vgs (máx.)	±20V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) a Vds	430 pF @ 25 V
Característica de FET	-
Disipación de potencia (Máx.)	1.8W (Ta)
Temperatura de funcionamiento	-55°C ~ 150°C (TJ)
Grado	Uso automotriz
Calificación	AEC-Q101
Tipo de montaje	Montaje en superficie
Paquete del dispositivo del proveedor	PG-SOT223-4
Paquete / Caja (carcasa)	TO-261-4, TO-261AA
Número de producto base	BSP149