Name: BSC16DN25NS3GATMA1
Brand: Infineon Technologies
SKU: BSC16DN25NS3GATMA1TR-ND
Price: 2.6983 EUR
Availability: InStock

BSC16DN25NS3GATMA1
N.º de producto de DigiKey	BSC16DN25NS3GATMA1TR-ND - Cinta y rollo (TR) BSC16DN25NS3GATMA1CT-ND - Cinta cortada (CT) BSC16DN25NS3GATMA1DKR-ND - Digi-Reel®
Fabricante	Infineon Technologies
Número de pieza del fabricante	BSC16DN25NS3GATMA1
Descripción	MOSFET N-CH 250V 10.9A TDSON-8-5
Plazo estándar del fabricante	61 semanas
Referencia del cliente
Descripción detallada	Canal N Montaje en superficie 250 V 10.9A (Tc) 62.5W (Tc) PG-TDSON-8-5
Hoja de datos	Hoja de datos
Modelos EDA/CAD	BSC16DN25NS3GATMA1 Modelos

Tipo	Descripción	Seleccionar todo
Categoría	Productos de semiconductores discretos Transistores FET, MOSFET FET simple, MOSFET
Fabricante	Infineon Technologies
Serie	OptiMOS™
Embalaje	Cinta y rollo (TR) Cinta cortada (CT) Digi-Reel®
Estado de pieza	Activo
Tipo FET	Canal N
Tecnología	MOSFET (óxido de metal)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss)	250 V
Corriente - consumo continuo (Id) a 25ºC	10.9A (Tc)
Voltaje de impulso (encendido Rds máx., encendido Rds mín.)	10V
Rds On (máx) @ Id, Vgs	165mOhm a 5.5A, 10V
Vgs(th) (máx) a Id	4V a 32µA
Carga de compuerta (Qg) (máx.) a Vgs	11.4 nC @ 10 V
Vgs (máx.)	±20V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) a Vds	920 pF @ 100 V
Característica de FET	-
Disipación de potencia (Máx.)	62.5W (Tc)
Temperatura de funcionamiento	-55°C ~ 150°C (TJ)
Grado	-
Calificación	-
Tipo de montaje	Montaje en superficie
Paquete del dispositivo del proveedor	PG-TDSON-8-5
Paquete / Caja (carcasa)	8-PowerTDFN
Número de producto base	BSC16DN25

Cantidad	Precio por unidad	Precio ext.
5.000	0,60745 €	3.037,25 €
10.000	0,58431 €	5.843,10 €

Precio unitario sin IVA:	2,23000 €
Precio unitario con IVA:	2,69830 €

BSC16DN25NS3GATMA1