Name: BSC019N06NSATMA1
Brand: Infineon Technologies
SKU: BSC019N06NSATMA1TR-ND
Price: 1.694 EUR
Availability: InStock

BSC019N06NSATMA1
N.º de producto de DigiKey	BSC019N06NSATMA1TR-ND - Cinta y rollo (TR) BSC019N06NSATMA1CT-ND - Cinta cortada (CT) BSC019N06NSATMA1DKR-ND - Digi-Reel®
Fabricante	Infineon Technologies
Número de pieza del fabricante	BSC019N06NSATMA1
Descripción	MOSFET N-CH 60V 100A TDSON-8 FL
Plazo estándar del fabricante	61 semanas
Referencia del cliente
Descripción detallada	Canal N Montaje en superficie 60 V 100A (Ta) 136W (Ta) PG-TDSON-8 FL
Hoja de datos	Hoja de datos
Modelos EDA/CAD	BSC019N06NSATMA1 Modelos

Tipo	Descripción	Seleccionar todo
Categoría	Productos de semiconductores discretos Transistores FET, MOSFET FET simple, MOSFET
Fabricante	Infineon Technologies
Serie	OptiMOS™
Embalaje	Cinta y rollo (TR) Cinta cortada (CT) Digi-Reel®
Estado de pieza	Activo
Tipo FET	Canal N
Tecnología	MOSFET (óxido de metal)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss)	60 V
Corriente - consumo continuo (Id) a 25ºC	100A (Ta)
Voltaje de impulso (encendido Rds máx., encendido Rds mín.)	6V, 10V
Rds On (máx) @ Id, Vgs	1.95mOhm a 50A, 10V
Vgs(th) (máx) a Id	3.3V a 74µA
Carga de compuerta (Qg) (máx.) a Vgs	77 nC @ 10 V
Vgs (máx.)	±20V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) a Vds	5250 pF @ 30 V
Característica de FET	-
Disipación de potencia (Máx.)	136W (Ta)
Temperatura de funcionamiento	-55°C ~ 175°C (TJ)
Grado	-
Calificación	-
Tipo de montaje	Montaje en superficie
Paquete del dispositivo del proveedor	PG-TDSON-8 FL
Paquete / Caja (carcasa)	8-PowerTDFN
Número de producto base	BSC019

Cantidad	Precio por unidad	Precio ext.
5.000	0,69787 €	3.489,35 €
10.000	0,68482 €	6.848,20 €

Precio unitario sin IVA:	1,40000 €
Precio unitario con IVA:	1,69400 €

BSC019N06NSATMA1