Name: G2K2P10D3E
Brand: Goford Semiconductor
SKU: 3141-G2K2P10D3ETR-ND
Price: 0.8954 EUR
Availability: InStock

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G2K2P10D3E
N.º de producto de DigiKey	3141-G2K2P10D3ETR-ND - Cinta y rollo (TR) 3141-G2K2P10D3ECT-ND - Cinta cortada (CT) 3141-G2K2P10D3EDKR-ND - Digi-Reel®
Fabricante	Goford Semiconductor
Número de pieza del fabricante	G2K2P10D3E
Descripción	MOSFET P-CH ESD 100V 10A DFN3*3-
Plazo estándar del fabricante	8 semanas
Referencia del cliente
Descripción detallada	Canal P Montaje en superficie 100 V 10A (Tc) 31W (Tc) 8-DFN (3.15x3.05)
Hoja de datos	Hoja de datos

Atributos del producto

Tipo	Descripción	Seleccionar todo
Categoría	Productos de semiconductores discretos Transistores FET, MOSFET FET simple, MOSFET
Fabricante	Goford Semiconductor
Serie	TrenchFET®
Embalaje	Cinta y rollo (TR) Cinta cortada (CT) Digi-Reel®
Estado de pieza	Activo
Tipo FET	Canal P
Tecnología	MOSFET (óxido de metal)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss)	100 V
Corriente - consumo continuo (Id) a 25ºC	10A (Tc)
Voltaje de impulso (encendido Rds máx., encendido Rds mín.)	4.5V, 10V
Rds On (máx) @ Id, Vgs	210mOhm a -6A, -10V
Vgs(th) (máx) a Id	2.5V a 250µA
Carga de compuerta (Qg) (máx.) a Vgs	33 nC @ 10 V
Vgs (máx.)	±20V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) a Vds	1668 pF @ 50 V
Característica de FET	-
Disipación de potencia (Máx.)	31W (Tc)
Temperatura de funcionamiento	-55°C ~ 150°C (TJ)
Grado	-
Calificación	-
Tipo de montaje	Montaje en superficie
Paquete del dispositivo del proveedor	8-DFN (3.15x3.05)
Paquete / Caja (carcasa)	8-PowerVDFN