Name: G2K2P10D3E
Brand: Goford Semiconductor
SKU: 4822-G2K2P10D3ETR-ND
Price: 0.1505 EUR
Availability: InStock

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G2K2P10D3E
N.º de producto de DigiKey	4822-G2K2P10D3ETR-ND - Cinta y rollo (TR)
Fabricante	Goford Semiconductor
Número de pieza del fabricante	G2K2P10D3E
Descripción	MOSFET P-CH ESD 100V 10A DFN3*3-
Referencia del cliente
Descripción detallada	Canal P Montaje en superficie 100 V 10A (Tc) 31W (Tc) 8-DFN (3.15x3.05)
Hoja de datos	Hoja de datos

Atributos del producto

Tipo	Descripción	Seleccionar todo
Categoría	Productos de semiconductores discretos Transistores FET, MOSFET FET simple, MOSFET
Fabricante	Goford Semiconductor
Serie	-
Embalaje	Cinta y rollo (TR)
Estado de pieza	Activo
Tipo FET	Canal P
Tecnología	MOSFET (óxido de metal)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss)	100 V
Corriente - consumo continuo (Id) a 25ºC	10A (Tc)
Voltaje de impulso (encendido Rds máx., encendido Rds mín.)	4.5V, 10V
Rds On (máx) @ Id, Vgs	210mOhm a -6A, -10V
Vgs(th) (máx) a Id	2.5V a 250µA
Carga de compuerta (Qg) (máx.) a Vgs	33 nC @ 10 V
Vgs (máx.)	±20V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) a Vds	1668 pF @ -50 V
Disipación de potencia (Máx.)	31W (Tc)
Temperatura de funcionamiento	-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje	Montaje en superficie
Paquete del dispositivo del proveedor	8-DFN (3.15x3.05)
Paquete / Caja (carcasa)	8-PowerVDFN