Name: G1K1P06LH
Brand: Goford Semiconductor
SKU: 3141-G1K1P06LHTR-ND
Price: 0.5203 EUR
Availability: InStock

G1K1P06LH
N.º de producto de DigiKey	3141-G1K1P06LHTR-ND - Cinta y rollo (TR) 3141-G1K1P06LHCT-ND - Cinta cortada (CT) 3141-G1K1P06LHDKR-ND - Digi-Reel®
Fabricante	Goford Semiconductor
Número de pieza del fabricante	G1K1P06LH
Descripción	MOSFET P-CH 60V 4.5A 3.1W SOT-2
Plazo estándar del fabricante	8 semanas
Referencia del cliente
Descripción detallada	Canal P Montaje en superficie 60 V 4.5A (Tc) 3.1W (Tc) SOT-23-3
Hoja de datos	Hoja de datos

Tipo	Descripción	Seleccionar todo
Categoría	Productos de semiconductores discretos Transistores FET, MOSFET FET simple, MOSFET
Fabricante	Goford Semiconductor
Serie	TrenchFET®
Embalaje	Cinta y rollo (TR) Cinta cortada (CT) Digi-Reel®
Estado de pieza	Activo
Tipo FET	Canal P
Tecnología	MOSFET (óxido de metal)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss)	60 V
Corriente - consumo continuo (Id) a 25ºC	4.5A (Tc)
Voltaje de impulso (encendido Rds máx., encendido Rds mín.)	10V
Rds On (máx) @ Id, Vgs	110mOhm a -3A,- 10V
Vgs(th) (máx) a Id	4V a 250µA
Carga de compuerta (Qg) (máx.) a Vgs	11 nC @ 10 V
Vgs (máx.)	±20V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) a Vds	970 pF @ 30 V
Característica de FET	-
Disipación de potencia (Máx.)	3.1W (Tc)
Temperatura de funcionamiento	-55°C ~ 150°C (TJ)
Grado	-
Calificación	-
Tipo de montaje	Montaje en superficie
Paquete del dispositivo del proveedor	SOT-23-3
Paquete / Caja (carcasa)	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3

Precio unitario sin IVA:	0,43000 €
Precio unitario con IVA:	0,52030 €

G1K1P06LH