Canal N Orificio pasante 1200 V 125A (Tc) 600W (Tc) TO-247
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DIW120SIC023-AQ

N.º de producto de DigiKey
4878-DIW120SIC023-AQ-ND
Fabricante
Diotec Semiconductor
Número de pieza del fabricante
DIW120SIC023-AQ
Descripción
SICFET N-CH 1200V 125A TO-247-3
Plazo estándar del fabricante
10 semanas
Referencia del cliente
Descripción detallada
Canal N Orificio pasante 1200 V 125A (Tc) 600W (Tc) TO-247
Hoja de datos
 Hoja de datos
Modelos EDA/CAD
DIW120SIC023-AQ Modelos
Atributos del producto
Tipo
Descripción
Seleccionar todo
Categoría
Fabricante
Diotec Semiconductor
Serie
-
Embalaje
Tubo
Estado de pieza
Activo
Tipo FET
Canal N
Tecnología
SiCFET (Carburo de silicio)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss)
1200 V
Corriente - consumo continuo (Id) a 25ºC
125A (Tc)
Voltaje de impulso (encendido Rds máx., encendido Rds mín.)
18V
Rds On (máx) @ Id, Vgs
23mOhm a 75A, 18V
Vgs(th) (máx) a Id
2.9V a 250µA
Carga de compuerta (Qg) (máx.) a Vgs
45 nC @ 18 V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) a Vds
6150 pF @ 1000 V
Característica de FET
-
Disipación de potencia (Máx.)
600W (Tc)
Temperatura de funcionamiento
-55°C ~ 175°C (TJ)
Grado
Uso automotriz
Calificación
AEC-Q101
Tipo de montaje
Orificio pasante
Paquete del dispositivo del proveedor
TO-247
Paquete / Caja (carcasa)
TO-247-3
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Cantidad
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Tubo
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175,11000 €75,11 €
3060,43267 €1.812,98 €
Paquete estándar del fabricante
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Precio unitario con IVA:90,88310 €