Name: DIF120SIC053
Brand: Diotec Semiconductor
SKU: 4878-DIF120SIC053-ND
Price: 11.5918 EUR
Availability: InStock

DIF120SIC053
N.º de producto de DigiKey	4878-DIF120SIC053-ND
Fabricante	Diotec Semiconductor
Número de pieza del fabricante	DIF120SIC053
Descripción	SICFET N-CH 1200V 65A TO-247-4
Plazo estándar del fabricante	9 semanas
Referencia del cliente
Descripción detallada	Canal N Orificio pasante 1200 V 65A (Tc) 278W (Tc) TO-247-4
Hoja de datos	Hoja de datos
Modelos EDA/CAD	DIF120SIC053 Modelos

Tipo	Descripción	Seleccionar todo
Categoría	Productos de semiconductores discretos Transistores FET, MOSFET FET simple, MOSFET
Fabricante	Diotec Semiconductor
Serie	-
Embalaje	Tubo
Estado de pieza	Activo
Tipo FET	Canal N
Tecnología	SiCFET (Carburo de silicio)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss)	1200 V
Corriente - consumo continuo (Id) a 25ºC	65A (Tc)
Voltaje de impulso (encendido Rds máx., encendido Rds mín.)	18V
Rds On (máx) @ Id, Vgs	53mOhm a 33A, 18V
Vgs(th) (máx) a Id	4V a 9.5mA
Carga de compuerta (Qg) (máx.) a Vgs	121 nC @ 15 V
Vgs (máx.)	+18V, -4V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) a Vds	2070 pF @ 1000 V
Característica de FET	-
Disipación de potencia (Máx.)	278W (Tc)
Temperatura de funcionamiento	-55°C ~ 175°C (TJ)
Grado	-
Calificación	-
Tipo de montaje	Orificio pasante
Paquete del dispositivo del proveedor	TO-247-4
Paquete / Caja (carcasa)	TO-247-4

Precio unitario sin IVA:	9,58000 €
Precio unitario con IVA:	11,59180 €

DIF120SIC053