DMWSH120H28SM3Q
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DMWSH120H90SM3Q

N.º de producto de DigiKey
31-DMWSH120H90SM3Q-ND
Fabricante
Diodes Incorporated
Número de pieza del fabricante
DMWSH120H90SM3Q
Descripción
SICFET N-CH 1200V TO-247
Plazo estándar del fabricante
40 semanas
Referencia del cliente
Descripción detallada
Canal N Orificio pasante 1200 V 41A (Tc) 246W (Tc) TO-247
Hoja de datos
 Hoja de datos
Atributos del producto
Tipo
Descripción
Seleccionar todo
Categoría
Fabricante
Diodes Incorporated
Serie
-
Embalaje
Tubo
Estado de pieza
Activo
Tipo FET
Canal N
Tecnología
SiCFET (Carburo de silicio)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss)
1200 V
Corriente - consumo continuo (Id) a 25ºC
41A (Tc)
Voltaje de impulso (encendido Rds máx., encendido Rds mín.)
15V
Rds On (máx) @ Id, Vgs
97.5mOhm a 20A, 15V
Vgs(th) (máx) a Id
3.5V a 5mA
Carga de compuerta (Qg) (máx.) a Vgs
50.9 nC @ 15 V
Vgs (máx.)
+19V, -8V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) a Vds
1090 pF @ 1000 V
Característica de FET
-
Disipación de potencia (Máx.)
246W (Tc)
Temperatura de funcionamiento
-55°C ~ 175°C (TJ)
Grado
Uso automotriz
Calificación
AEC-Q101
Tipo de montaje
Orificio pasante
Paquete del dispositivo del proveedor
TO-247
Paquete / Caja (carcasa)
TO-247-3
Preguntas y respuestas sobre el producto

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En stock: 24
Stock de fábrica: 1.290
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Cantidad
Todos los precios se expresan en EUR
Tubo
Cantidad Precio por unidad Precio ext.
111,56000 €11,56 €
307,02667 €210,80 €
1206,04592 €725,51 €
Paquete estándar del fabricante
Aviso: Debido a los servicios de valor añadido de DigiKey, el tipo de embalaje puede cambiar cuando el producto se adquiere en cantidades inferiores al embalaje estándar.
Precio unitario sin IVA:11,56000 €
Precio unitario con IVA:13,98760 €