Name: DMWSH120H43SM3
Brand: Diodes Incorporated
SKU: 31-DMWSH120H43SM3-ND
Price: 17.7628 EUR
Availability: InStock

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DMWSH120H43SM3
N.º de producto de DigiKey	31-DMWSH120H43SM3-ND
Fabricante	Diodes Incorporated
Número de pieza del fabricante	DMWSH120H43SM3
Descripción	SICFET N-CH 1200V TO-247
Plazo estándar del fabricante	40 semanas
Referencia del cliente
Descripción detallada	Canal N Orificio pasante 1200 V 72.7H (Tc) 341W (Tc) TO-247
Hoja de datos	Hoja de datos

Atributos del producto

Tipo	Descripción	Seleccionar todo
Categoría	Productos de semiconductores discretos Transistores FET, MOSFET FET simple, MOSFET
Fabricante	Diodes Incorporated
Serie	-
Embalaje	Tubo
Estado de pieza	Activo
Tipo FET	Canal N
Tecnología	SiCFET (Carburo de silicio)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss)	1200 V
Corriente - consumo continuo (Id) a 25ºC	72.7H (Tc)
Voltaje de impulso (encendido Rds máx., encendido Rds mín.)	15V
Rds On (máx) @ Id, Vgs	43mOhm a 40A, 15V
Vgs(th) (máx) a Id	3.6V a 11.5mA
Carga de compuerta (Qg) (máx.) a Vgs	105 nC @ 15 V
Vgs (máx.)	+19V, -8V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) a Vds	2187 pF @ 1000 V
Característica de FET	-
Disipación de potencia (Máx.)	341W (Tc)
Temperatura de funcionamiento	-55°C ~ 175°C (TJ)
Grado	-
Calificación	-
Tipo de montaje	Orificio pasante
Paquete del dispositivo del proveedor	TO-247
Paquete / Caja (carcasa)	TO-247-3

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Tubo

Cantidad	Precio por unidad	Precio ext.
1	14,68000 €	14,68 €
30	9,11767 €	273,53 €
120	8,23750 €	988,50 €

Paquete estándar del fabricante

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