Name: DMWSH120H28SCT7
Brand: Diodes Incorporated
SKU: 31-DMWSH120H28SCT7-ND
Price: 18.60859 EUR
Availability: OutOfStock

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Diodes Incorporated

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DMWSH120H28SCT7
N.º de producto de DigiKey	31-DMWSH120H28SCT7-ND
Fabricante	Diodes Incorporated
Número de pieza del fabricante	DMWSH120H28SCT7
Descripción	SIC MOSFET BVDSS: >1000V TO263-7
Plazo estándar del fabricante	16 semanas
Referencia del cliente
Descripción detallada	Canal N Montaje en superficie 1200 V 85.5H (Tc) 312W (Tc) TO-263-7
Hoja de datos	Hoja de datos

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Categoría Productos de semiconductores discretos Transistores FET, MOSFET FET simple, MOSFET	Vgs(th) (máx) a Id 3.6V a 17.7mA
Fabricante Diodes Incorporated	Carga de compuerta (Qg) (máx.) a Vgs 184 nC @ 15 V
Embalaje Tubo	Vgs (máx.) +19V, -8V
Estado de pieza Activo	Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) a Vds 3864 pF @ 1000 V
Tipo FET Canal N	Disipación de potencia (Máx.) 312W (Tc)
Tecnología SiCFET (Carburo de silicio)	Temperatura de funcionamiento -55°C ~ 175°C (TJ)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss) 1200 V	Tipo de montaje Montaje en superficie
Corriente - consumo continuo (Id) a 25ºC 85.5H (Tc)	Paquete del dispositivo del proveedor TO-263-7
Voltaje de impulso (encendido Rds máx., encendido Rds mín.) 15V	Paquete / Caja (carcasa) TO-263-8, conductores D2PAK (7 conductores + pestaña), TO-263CA
Rds On (máx) @ Id, Vgs 28.5mOhm a 50A, 15V

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N.° de pieza	Fabricante	Cantidad disponible	N.º de producto de DigiKey	Precio por unidad	Tipo de reemplazo
DMWSH120H28SCT7-13	Diodes Incorporated	0	31-DMWSH120H28SCT7-13TR-ND	15,37894 €	Equivalente paramétrico

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Precio unitario con IVA:	18,60859 €

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