Name: DMT6016LSS-13
Brand: Diodes Incorporated
SKU: DMT6016LSS-13DITR-ND
Price: 0.9438 EUR
Availability: InStock

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DMT6016LSS-13
N.º de producto de DigiKey	DMT6016LSS-13DITR-ND - Cinta y rollo (TR) DMT6016LSS-13DICT-ND - Cinta cortada (CT) DMT6016LSS-13DIDKR-ND - Digi-Reel®
Fabricante	Diodes Incorporated
Número de pieza del fabricante	DMT6016LSS-13
Descripción	MOSFET N-CH 60V 9.2A 8SO
Plazo estándar del fabricante	12 semanas
Referencia del cliente
Descripción detallada	Canal N Montaje en superficie 60 V 9.2A (Ta) 1.5W (Ta) 8-SO
Hoja de datos	Hoja de datos
Modelos EDA/CAD	DMT6016LSS-13 Modelos

Atributos del producto

Tipo	Descripción	Seleccionar todo
Categoría	Productos de semiconductores discretos Transistores FET, MOSFET FET simple, MOSFET
Fabricante	Diodes Incorporated
Serie	-
Embalaje	Cinta y rollo (TR) Cinta cortada (CT) Digi-Reel®
Estado de pieza	Activo
Tipo FET	Canal N
Tecnología	MOSFET (óxido de metal)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss)	60 V
Corriente - consumo continuo (Id) a 25ºC	9.2A (Ta)
Voltaje de impulso (encendido Rds máx., encendido Rds mín.)	4.5V, 10V
Rds On (máx) @ Id, Vgs	18mOhm a 10A, 10V
Vgs(th) (máx) a Id	2.5V a 250µA
Carga de compuerta (Qg) (máx.) a Vgs	17 nC @ 10 V
Vgs (máx.)	±20V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) a Vds	864 pF @ 30 V
Característica de FET	-
Disipación de potencia (Máx.)	1.5W (Ta)
Temperatura de funcionamiento	-55°C ~ 150°C (TJ)
Grado	-
Calificación	-
Tipo de montaje	Montaje en superficie
Paquete del dispositivo del proveedor	8-SO
Paquete / Caja (carcasa)	8-SOIC (0.154", 3.90mm de ancho)
Número de producto base	DMT6016