Name: DMT10H009SPS-13
Brand: Diodes Incorporated
SKU: 31-DMT10H009SPS-13TR-ND
Price: 1.6214 EUR
Availability: InStock

DMT10H009SPS-13
N.º de producto de DigiKey	31-DMT10H009SPS-13TR-ND - Cinta y rollo (TR) 31-DMT10H009SPS-13CT-ND - Cinta cortada (CT) 31-DMT10H009SPS-13DKR-ND - Digi-Reel®
Fabricante	Diodes Incorporated
Número de pieza del fabricante	DMT10H009SPS-13
Descripción	MOSFET N-CH 100V PWRDI5060
Plazo estándar del fabricante	40 semanas
Referencia del cliente
Descripción detallada	Canal N Montaje en superficie 100 V 14A (Ta), 80A (Tc) 1.3W (Ta) PowerDI5060-8
Hoja de datos	Hoja de datos

Tipo	Descripción	Seleccionar todo
Categoría	Productos de semiconductores discretos Transistores FET, MOSFET FET simple, MOSFET
Fabricante	Diodes Incorporated
Serie	-
Embalaje	Cinta y rollo (TR) Cinta cortada (CT) Digi-Reel®
Estado de pieza	Activo
Tipo FET	Canal N
Tecnología	MOSFET (óxido de metal)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss)	100 V
Corriente - consumo continuo (Id) a 25ºC	14A (Ta), 80A (Tc)
Voltaje de impulso (encendido Rds máx., encendido Rds mín.)	10V
Rds On (máx) @ Id, Vgs	8.5mOhm a 20A, 10V
Vgs(th) (máx) a Id	4V a 250µA
Carga de compuerta (Qg) (máx.) a Vgs	30 nC @ 10 V
Vgs (máx.)	±20V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) a Vds	2085 pF @ 50 V
Característica de FET	-
Disipación de potencia (Máx.)	1.3W (Ta)
Temperatura de funcionamiento	-55°C ~ 150°C (TJ)
Grado	-
Calificación	-
Tipo de montaje	Montaje en superficie
Paquete del dispositivo del proveedor	PowerDI5060-8
Paquete / Caja (carcasa)	8-PowerTDFN
Número de producto base	DMT10

Precio unitario sin IVA:	1,34000 €
Precio unitario con IVA:	1,62140 €

DMT10H009SPS-13